隨著傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)在NAND flash領(lǐng)域即將達(dá)到極限，存儲(chǔ)器芯片廠(chǎng)商紛紛開(kāi)始采用3D生產(chǎn)技術(shù)以提高產(chǎn)能。

根據(jù)IHS的報(bào)告顯示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快閃存儲(chǔ)器芯片將采用3D技術(shù)，而在2013年這一比例僅為1%。2014年采用3D技術(shù)的快閃存儲(chǔ)器芯片比例將增至5.2%，2015年則將飆升至30.2%。到了2016年這一比例將擴(kuò)大至49.8%，幾乎占整個(gè)快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的一半。

“普遍認(rèn)為采用傳統(tǒng)平面半導(dǎo)體技術(shù)的NAND flash再經(jīng)過(guò)一代或兩代就將達(dá)到理論極限，”IHS內(nèi)存和存儲(chǔ)高級(jí)分析師Dee Robinson表示。“隨著平面印刷技術(shù)進(jìn)一步萎縮，NAND的性能和可靠性將僅適合極低成本的消費(fèi)性產(chǎn)品。在未來(lái)幾年，由于NAND廠(chǎng)商被迫開(kāi)發(fā)更高密度和更低價(jià)格的產(chǎn)品，因此將會(huì)迅速向3D制造轉(zhuǎn)移?！?BR>
三星和SK海力士這兩個(gè)全球最大的存儲(chǔ)器廠(chǎng)商在8月份的加州圣克拉拉快閃存儲(chǔ)器峰會(huì)上發(fā)布了他們的3D NAND創(chuàng)新成果。

三星表示該公司名為V-NAND的3D快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品已經(jīng)在第二季度開(kāi)始商用化生產(chǎn)。其終端產(chǎn)品將會(huì)是480千兆字節(jié)以及960千兆字節(jié)的V-NAND固態(tài)硬盤(pán)，初期目標(biāo)是企業(yè)市場(chǎng)。V-NAND將比1 x納米NAND更可靠、功耗更低，并且順序?qū)懭牒碗S機(jī)寫(xiě)入的性能更高。

IHS預(yù)計(jì)基于V-NAND的固態(tài)硬盤(pán)和基于傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將會(huì)有較大差距，這也就是三星將該產(chǎn)品的目標(biāo)市場(chǎng)首先定位為企業(yè)市場(chǎng)的原因。

三星的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士也在計(jì)劃生產(chǎn)3D NAND，其初期的3D產(chǎn)品將類(lèi)似于三星的V-NAND，容量達(dá)到128千兆字節(jié)。不過(guò)這只是SK海力士雙向策略中的一部分，該公司同時(shí)還在開(kāi)發(fā)16納米產(chǎn)品。

隨著三星和海力士SK已經(jīng)開(kāi)始3D NAND開(kāi)發(fā)，投入生產(chǎn)的時(shí)間比預(yù)期更快，且進(jìn)展速度也大大快于業(yè)界期望。

盡管如此，其他存儲(chǔ)器廠(chǎng)商仍然決定至少再生產(chǎn)一代平面NAND，將3D計(jì)劃日程推后。這些廠(chǎng)商包括SanDisk、美光和日本東芝。

不過(guò)，初期3D NAND生產(chǎn)將是有限的，并且由于產(chǎn)品多層結(jié)構(gòu)的原因，故障分析比較困難。IHS認(rèn)為，高性能產(chǎn)品在企業(yè)應(yīng)用中的初期增長(zhǎng)將有助于廠(chǎng)商獲利以及工藝成熟。盡管如此，3D技術(shù)要對(duì)整個(gè)行業(yè)增長(zhǎng)做出顯著貢獻(xiàn)還有待時(shí)日。

無(wú)論如何，NAND的3D競(jìng)賽已經(jīng)打響，尚未對(duì)這一技術(shù)變革做出響應(yīng)的NAND廠(chǎng)商將會(huì)感受到壓力。