在2011-2012年IGBT市場少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場規(guī)模預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美金。

IGBT市場成長的五大動力源
IGBT在電動車/動力混合汽車( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，電機驅動器( Motor Drive)，不間斷電動力系統(tǒng) (UPS)及交通上的應用是市場成長的動力來源。
其中，電機驅動器是帶動IGBT市場成長的最大動力，又可區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用；風能，太陽能等再生能源也是IGBT市場成長的幫手。不過，這兩個產(chǎn)業(yè)多賴政府補助或投資，難以正確預估其成長趨勢。幸運的是，日本與一些發(fā)展中國家風能與太陽能市場的成長，約可彌補歐洲市場的成長趨緩；基于提高能源效率的要求，大眾運輸及不間斷電源系統(tǒng)等基礎建設需求也驅動了IGBT市場的成長；至于IGBT在EV/HEV應用的情況尚無法確定，從2013年第一季EV/HEV的市場季報及其技術演變來看，增長一定會來到，但無法準確斷定成長幅度及時間。

除了上述的幾個主要成長動力外，Yole還對潛在應用進行了分析，其中一些重要趨勢不容忽視，例如所謂的“變頻器化”（Inverterization）便是其中之一。
為了達到高端家電更高性能、更舒適、更節(jié)能的必備條件，越來越多家電電機驅動器都要求配備變頻器。消費者也越來越習慣使用先進的家電產(chǎn)品，例如電磁感應電鍋。這一類新興應用將會促使IGBT在消費性應用領域的增長。

2012年電力設備市場衰退，尤其是IGBT市場慘跌25%，主要是由于以下幾個原因：
1）2012年歐洲各國政府緊縮對再生能源的補助，風力發(fā)電機及太陽能安裝量驟跌；
2）2012年中國減緩風力發(fā)電機的安裝速度；
3）2012年中國高鐵事故導致高鐵的生產(chǎn)喊停
4）全球經(jīng)濟復蘇速度不如預期的快，進而影響消費性市場買氣。

此外，受到日本地震及海嘯的影響，導致系統(tǒng)制造商爭取訂單貨源。綜合上述因素，造成2011年IGBT產(chǎn)能過剩，IGBT市場也為此在2012年及2013年初付出了代價。

與SiC、GaN三分天下，IGBT轉移至中低端解決方案

此外，IGBT市場還面臨著來自外部的競爭壓力。通過觀察IGBT的同類元器件的趨勢，注意到發(fā)生了很多技術演進。
事實上，IGBT驅動器領域從來沒有像今天這般活躍過：有一大堆的新興廠商推出具有更佳設計靈活性及效能的解決方案；其他一些廠商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的設計。越來越多的廠商將心力投注到功率模塊封裝的解決方案上。　

不過，IGBT已經(jīng)不再是高端電子設備的唯一解決方案了。SiC器件已經(jīng)量產(chǎn)，GaN器件也進入試產(chǎn)階段。應用版圖已經(jīng)十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太陽能變頻器已經(jīng)誕生，高壓和低壓應用市場分別被SiC和GaN技術占據(jù)，IGBT則逐漸轉移至中低端解決方案。

如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認為IGBT市場并沒有進入彌留之際或是衰退期。不，絕不是，IGBT市場的商機無限。

中韓廠商搶入，供應鏈極不穩(wěn)定

IGBT供應鏈極不穩(wěn)定，越來越多的亞洲廠商已進入或愿意進入IGBT的市場。中國及韓國廠商進入IGBT市場是發(fā)展趨勢。其中，最大的廠商有收購丹尼克斯半導體的中國南車（CSR）以及BYD，兩者皆有志向垂直整合的業(yè)務模式進軍。

代工廠及無晶圓廠也正在瞄準低電壓，低端產(chǎn)品市場的發(fā)展機會。作為進入市場的第一步，亞洲廠商可能會先掌握既有的標準技術，專注于生產(chǎn)當?shù)厥袌鏊璧漠a(chǎn)品上。

與此同時，美國及歐洲廠商正在致力于推動技術創(chuàng)新，有一部分半導體廠商如安森美（子公司三洋）、萬國半導體（AOS）等都正在切入或準備切入IGBT市場。