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[導讀]日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號:RFMD)宣布,其已開始批量生產(chǎn)并向三星發(fā)送超高效功率放大器以支持其備受期待的下一代 Galaxy S3 4G

日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號:RFMD)宣布,其已開始批量生產(chǎn)并向三星發(fā)送超高效功率放大器以支持其備受期待的下一代 Galaxy S3 4G LTE 智能手機。

RFMD 預期今年將為三星的最高產(chǎn)量智能手機提供大量 3G 和 4G 功率放大器。RFMD 以其廣泛的產(chǎn)品為三星的多功能手機、智能手機和平板電腦提供支持,包括 PowerSmart功率平臺、超高效功率放大器和其他關鍵的高性能組件等。RFMD 近期支持的這款 4G LTE 智能手機具有一個雙核多模式 3G/LTE 調制調解器。

RFMD 蜂窩產(chǎn)品組總裁 Eric Creviston 指出:“向三星發(fā)送 RFMD 超高效 3G/4G 功率放大器突出了我們在下一代移動設備方面強勁的設計發(fā)展勢頭和在快速增長的 LTE 市場的早期市場領導地位。目前,我們可以預測 LTE 將于 2012 年實現(xiàn)穩(wěn)健的增長,LTE 設備將從 2011 年的約 2 千萬件增長到 2012 年的超過 1 億件?!?

RFMD 的超高效 3G 和 4G LTE 功率放大器有助于延長智能手機中電池的使用壽命,同時還可降低網(wǎng)上沖浪、視頻電話和互聯(lián)網(wǎng)無線電服務等先進的基于數(shù)據(jù)的應用中的熱影響。該產(chǎn)品系列覆蓋了 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 3、4、7、11、13、17、20 和 21,因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 頻帶與 LTE 頻帶及頻帶組合。

RFMD 可提供業(yè)內最廣泛的 3G 和 4G LTE 功率放大器解決方案,涵蓋單模式∕單頻帶組件到完整的多模式∕多頻帶前端參考設計等。RFMD 的 3G 和 4G LTE 產(chǎn)品系列符合世界領先的基帶芯片集供應商的要求。

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