7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個海外高端器件研發(fā)中心。
以IGBT為代表的功率半導體器件技術是軌道交通裝備關鍵技術之一，被業(yè)界認為是現(xiàn)代機車車輛的“CPU”，它廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、新能源等行業(yè)。
株洲所掌握了最先進的半導體器件全壓接技術，產品品種涵蓋單一整流管、集整流管、晶閘管、快速整流管、快速晶閘管、GTO、IGCT等多個系列。產品電流等級從200安發(fā)展到10000安，電壓等級從600伏發(fā)展到8500伏，具有廣泛的適應性。2006年，株洲所自主研制出世界上第一只直徑最大、容量最大的6英寸晶閘管，使我國80萬伏超高壓直流輸電成為現(xiàn)實，輸電能力提高60%。2008年，完成對世界著名功率半導體器件企業(yè)英國丹尼克斯半導體公司的并購，并將其4英寸IGBT芯片生產線改造為6英寸生產線。同時，在株洲完成了國內第一條高壓IGBT封裝線的建設。2011年，規(guī)劃啟動了國內首條8英寸IGBT芯片生產線，項目建成后，率先成為國內首家集IGBT芯片設計、模塊封裝及測試、系統(tǒng)應用的完整產業(yè)鏈。
本次落成的海外功率半導體研發(fā)中心，以中長期項目（二至三年以上的市場項目）為研發(fā)重點，研發(fā)內容涉及基礎研究、工藝改進、產品開發(fā)和平臺建設，承擔新一代IGBT技術開發(fā)，新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術的研究開發(fā)工作，其取得的知識產權將由中國南車和丹尼克斯共同擁有。此舉將支撐并引領中國南車大功率半導體器件產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，完善并提升其技術鏈，對今后IGBT芯片技術國產化進行人才儲備也具有里程碑意義。