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[導(dǎo)讀]北京時(shí)間3月7日消息,根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的分析部門DRAMeXchange的研究,針對(duì)對(duì)DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長久觀察下,提出了對(duì)2012-2015年間產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六大趨勢預(yù)測:趨勢一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主

北京時(shí)間3月7日消息,根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的分析部門DRAMeXchange的研究,針對(duì)對(duì)DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長久觀察下,提出了對(duì)2012-2015年間產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六大趨勢預(yù)測

趨勢一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主宰市場至2014年

2011年開始PC-DRAM的主流規(guī)格已升級(jí)為DDR3,DRAMeXchange預(yù)期其主流地位至少將維持到2014年。JEDEC組織雖然在2012年將正式公布DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,但DRAMeXchange對(duì)DDR4是否能遵循DDR與DDR2的歷史軌跡,在2014-2015年期間取代DDR3成為市場主流抱持保守的看法。背后理由在于DDR4帶給PC效能提升的邊際效益幅度是相對(duì)有限的,但要注意的是Intel仍將握有最后的關(guān)鍵決定權(quán)。

趨勢二、TSV與2.5D/3D IC技術(shù)的成熟度將成為影響未來Mobile DRAM主流的關(guān)鍵

2011年開始Mobile DRAM的主流顆粒為LPDDR 2Gb,預(yù)計(jì)2012年開始LPDDR2 2Gb顆粒的出貨量將快速成長,以取代LPDDR的主流地位。行動(dòng)手持裝置對(duì)于帶寬(BW)的需求隨著影音往3D發(fā)展,使得LPDDR2只能滿足2012年之前的需求。2013年以后的趨勢,已確定由LPDDR3勝出。然而,為了滿足2014-2015年期間的BW需求,DRAMeXchange認(rèn)為LPDDR系列與Wide I/O仍將持續(xù)之前的競爭。DRAMeXchange預(yù)期TSV與2.5D/3D IC技術(shù)未來的成熟度,將扮演影響Wide I/O崛起與否的重要關(guān)鍵。

趨勢三、Ultrabook未來可望成為PC-DRAM與Mobile DRAM交鋒的戰(zhàn)場

未來隨著Intel新一代平臺(tái)Ivy Bridge與Haswell的上市,可搭載的DRAM規(guī)格將新增DDR3L與LPDDR3。這表示Ultrabook未來將成為PC-DRAM與Mobile DRAM首次交鋒的戰(zhàn)場。后者的優(yōu)勢在于,同樣支持Ultrabook所要求的AOAC(Always-on-Always-Connected)與快速回復(fù)等功能上,將較PC-DRAM來得省電,并達(dá)成Ultrabook所規(guī)定的待機(jī)時(shí)間要求。DRAMeXchange認(rèn)為未來Mobile DRAM若真能打入U(xiǎn)ltrabook供應(yīng)煉時(shí),總市場規(guī)模甚至可能在2015年時(shí)超越PC-DRAM,進(jìn)而轉(zhuǎn)變成DRAM應(yīng)用的最大市場。

趨勢四、預(yù)期SSD單位成本在2012年下半年可望跌破一美元水平,成長潛力將涌現(xiàn)

當(dāng)采用最新制程等級(jí)的SSD在2012年下半年正式進(jìn)入量產(chǎn)后,單位成本將可望下降至一美元以下的水平,達(dá)到市場期待已久的甜蜜點(diǎn)。屆時(shí)DRAMeXchange預(yù)期Ultrabook將從傾向采用Hybrid HDD的解決方案,轉(zhuǎn)變成Pure SSD的解決方案,主流容量將大幅提升至128GB水平。估計(jì)Ultrabook的市場占有率將自2012年第三季快速拉升,使得固態(tài)硬盤的NAND Flash消耗量也將從2011年的5.1%大幅成長至今年的15%,成為眾多NAND Flash應(yīng)用產(chǎn)品中,成長爆發(fā)力道最強(qiáng)的類別之一。

趨勢五、PC-SSD接口將以SATA 3.0為主,未來可望升級(jí)至更高速的PCIe-Like接口

2011年P(guān)C-SSD(PC用固態(tài)硬盤)所采用的標(biāo)準(zhǔn)傳輸接口仍以SATA 2.0為主,2012年開始隨著Ivy Bridge處理器上市后,SATA 3.0將逐漸成為主流接口,并將BW推升至600MB/s水平。然而,日后隨著ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0接口的NAND Flash開始進(jìn)入量產(chǎn),將使得提升SSD產(chǎn)品傳輸速度瓶頸,轉(zhuǎn)移至控制芯片身上。這樣的發(fā)展已使得SATA-IO在2011年開始建立「SATA Express」*(注)的標(biāo)準(zhǔn)制定工作。SATA Express的最大傳輸速度將上升至1000MB/s與2000MB/s的水平。依歷史經(jīng)驗(yàn)推估,Intel最快可能會(huì)在2014-2015年推出的CPU平臺(tái)支持SATA Express或「PCIe-like」的高速接口,以發(fā)揮ONFI 3.0與Toggle DDR 2.0的最大效能。

趨勢六、系統(tǒng)產(chǎn)品走向「平價(jià)時(shí)尚」的趨勢下,NAND Flash與DRAM之間的競爭將快速升溫

DRAM與NAND Flash兩者雖然在功能上是呈現(xiàn)互補(bǔ),但是在Ultrabook、智能型手機(jī)等系統(tǒng)產(chǎn)品逐漸走向平價(jià)時(shí)尚(高價(jià)值/低價(jià)格)的趨勢下,DRAMeXchange預(yù)期DRAM與NAND Flash未來競爭的程度將會(huì)逐漸提升。我們認(rèn)為相關(guān)OEM/ODM業(yè)者在有限預(yù)算下,將會(huì)把資源用于NAND Flash而非DRAM,因?yàn)槿绱艘粊聿拍茏屜M(fèi)者明顯感受到產(chǎn)品效能的提升,以吸引消費(fèi)者的青睞。

注:SATA Express是結(jié)合SATA的軟件基礎(chǔ)架構(gòu)(software infrastructure)與PCIe的傳輸接口。
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