標準型DRAM產業(yè)經營環(huán)境陷入困境，就連龍頭大廠三星電子擁有市占率與技術的優(yōu)勢下，也直喊很辛苦。研究機構集邦科技認為，今年DRAM市場的發(fā)展將出現重大變革，除核心技術仍將攸關獲利表現之外，產品應用是否能搭上產業(yè)成長趨勢，也是持續(xù)生存下去的關鍵。
綜觀過去整體DRAM市場的獲利關鍵，幾乎取決于產能的擴充與制程不斷的再精進，從早期的90nm、65nm制程至今已來到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續(xù)下降，但同時伴隨著是顆粒數的高成長，加上近年PC出貨年成長已大幅趨緩，記憶體搭載容量亦失成長動能，DRAM產業(yè)在需求力道不再強勁的影響之下，不但獲利難度越來越高，制程微縮的動作甚至遠跟不上跌價的速度。
集邦科技認為，2012年DRAM市場的發(fā)展將會產生重大的變革。首先，DRAM產能的擴充將漸趨理性，加上轉進20nm難度極高，且需要高額的資本支出購買EUV等先進機臺，即使龍頭三星半導體亦不得不在制程精進上放慢腳步。
另外，集邦科技預估，今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%，較數年前動輒50%的年成長已大幅趨緩，不幸的是，供給位元的減緩并不足以代表整體DRAM產業(yè)供過于求的頹勢能夠獲得紓解。
這也代表著，各DRAM廠獲利的關鍵必須轉向核心技術開發(fā)能力再作競爭，例如隨著智慧型手機與平板電腦的興起，帶動行動式記憶體的需求，如已在2011年第四季成為行動式記憶體出貨主流LPDDR2，或者是今年下半年即將量產的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術的DRAM廠便是獲利贏家。
同時，云端需求的興起亦使原本深耕于伺服器記憶體的DRAM廠獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個獲利指標。另外，在標準型DRAM上面，今年亦有許多產品以DDR3為基礎上再進化，如著眼于Ultrabook的興起，為了精進省電效能以延長使用時效，廠商已開發(fā)出低電壓版的DDR3L，在省電機制的強化上亦發(fā)展出DDR3M的產品，亦有廠商考慮將GDDR導入標準型記憶體中，在繪圖上與游戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現。
DRAM廠在后續(xù)的獲利競賽仍有一番激烈競逐，落后者勢必逐漸將產能退出，在擁有核心技術力的DRAM廠才有機會在后續(xù)市場中持續(xù)獲利與生存。 1 2