TD-LTE顯然正在吸引越來(lái)越多的運(yùn)營(yíng)商部署，TD-LTE國(guó)際化步伐已經(jīng)明顯加快。國(guó)際化方面，據(jù)我們了解，全球已有3家運(yùn)營(yíng)商正式啟動(dòng)了TD-LTE商用服務(wù)，10家運(yùn)營(yíng)商制定了商用計(jì)劃。我國(guó)今年開始在7城市進(jìn)行TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)，7家系統(tǒng)、3家芯片廠家基本完成測(cè)試，實(shí)現(xiàn)2.3GHz、2.6GHz功能，第一階段的單模測(cè)試宣布完成，即將進(jìn)入第二階段多模測(cè)試。到2012年將進(jìn)入TD-LTE技術(shù)成熟期，即多模測(cè)試，開始面向商用的設(shè)備測(cè)試和驗(yàn)證。在核心技術(shù)方面，中國(guó)廠商在TD-SCDMA研發(fā)與商用方面做了大量的工作，在TD-LTE和TD-SCDMA的混合組網(wǎng)、多模終端開發(fā)方面具有非常明顯的優(yōu)勢(shì)。

任何一項(xiàng)通信標(biāo)準(zhǔn)從誕生到發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備勢(shì)必先行，而終端一致性測(cè)試則是驗(yàn)證移動(dòng)通信技術(shù)真正成熟的標(biāo)志。由于通信技術(shù)成熟之前，終端環(huán)節(jié)很難批量部署，不過(guò)，TD-LTE從一開始就非常重視終端芯片環(huán)節(jié)開發(fā)，包括從標(biāo)準(zhǔn)化到測(cè)試代碼開發(fā)以及儀表開發(fā)均有終端廠商參與，盡量拉近終端與系統(tǒng)側(cè)的差距。聯(lián)芯作為終端產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片廠商，在LTE商用的初級(jí)發(fā)展階段，會(huì)首先致力于把產(chǎn)品扎實(shí)的做好。聯(lián)芯科技正在依靠工藝升級(jí)，降低LTE芯片成本，提高芯片性能，提升芯片功能，從而降低了終端廠商的開發(fā)難度、研發(fā)周期和成本，使最終用戶獲得能在未來(lái)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)使用時(shí)獲得最佳的體驗(yàn)。

聯(lián)芯科技副總裁劉積堂

2012年市場(chǎng)對(duì)于多模芯片的需求是大趨勢(shì)。2G、3G、LTE三種制式將在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)長(zhǎng)期共存，這就需要TD-LTE兼容以往的模式。另外，對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，生產(chǎn)制造成本比較低，更多的成本用于前期的研發(fā)。單模終端的市場(chǎng)相對(duì)比較窄，多模設(shè)計(jì)能夠?yàn)榻K端提供更大的市場(chǎng)空間，由此而產(chǎn)生的規(guī)模效應(yīng)將使得產(chǎn)品的成本更低。這對(duì)于TD-LTE終端芯片的發(fā)展非常重要。

值得一提的是，除了兼容2G與3G，TD-LTE與FDDLTE的共模也是TD-LTE終端芯片發(fā)展的重要方向。目前，大部分芯片廠商已經(jīng)開發(fā)出共模的產(chǎn)品，絕大多數(shù)廠商已經(jīng)開始研發(fā)共模的TD-LTE芯片。業(yè)內(nèi)相關(guān)人士表示，其實(shí)，TD-LTE與FDD-LTE之間的技術(shù)差異很小，兩者有90%的部分是相同的。因此，實(shí)現(xiàn)共模產(chǎn)品相當(dāng)于只需追加較少的投入便能夠獲得多支持一種網(wǎng)絡(luò)制式的產(chǎn)品。

同時(shí)，LTE終端對(duì)基帶芯片的要求體現(xiàn)在：首先是需要支持多種可變帶寬，這需要芯片支持多種不同的采樣率、不同的外部通信接口帶寬等。比如目前全球主要LTE頻段，在FDD-LTE方面，歐洲為2.6GHz，790～862MHz，美國(guó)為700MHz，日本為1.5、1.7、2.1GHz。在TDD-LTE頻段方面，中國(guó)則采用2.3GHz、2.6GHz，歐洲采用2.6GHz。因此，多模多頻產(chǎn)品有利于TD-LTE走向全球。“

針對(duì)以上趨勢(shì)，2011年聯(lián)芯科技發(fā)布了定位于TD-LTE和TD-HSPA雙模基帶芯片的LC1760，目前基于此芯片的數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品正在參加工信部和中國(guó)移動(dòng)的規(guī)模試驗(yàn)測(cè)試。目前，LTE芯片的全部技術(shù)問(wèn)題，聯(lián)芯科技都已經(jīng)解決，聯(lián)芯科技正在著手下一步的芯片升級(jí)。

2011年，部分廠家已經(jīng)推出了LTE手機(jī)，但我們認(rèn)為仍然停留在概念化階段，很多消費(fèi)者對(duì)其概念也是云里霧里。另外，LTE手機(jī)耗電量過(guò)大等硬傷也是制約其規(guī)?；l(fā)展的一大軟肋，在綜合表現(xiàn)上也很難有“顛覆性的突破”。2012年，聯(lián)芯科技將推出40納米的TD-LTE芯片，可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動(dòng)切換，支持下行150兆/秒、上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率，更能滿足國(guó)際市場(chǎng)開拓需求。這個(gè)芯片將進(jìn)入試驗(yàn)網(wǎng)試驗(yàn)。在試驗(yàn)網(wǎng)中發(fā)現(xiàn)的任何問(wèn)題，如功能、性能等，都會(huì)得到優(yōu)化。有了這個(gè)經(jīng)驗(yàn)，我們相信這會(huì)使得在TD領(lǐng)域推出價(jià)格更經(jīng)濟(jì)、功能更先進(jìn)的智能手機(jī)成為現(xiàn)實(shí)。2012年年底我們還將向28nm或者更先進(jìn)工藝演進(jìn)。

附注：ARM中國(guó)區(qū)總裁吳雄昂將在今年2月23日早上10:30分發(fā)表題為“未來(lái)智能手機(jī)的演化進(jìn)程”的主題演講，隨后飛兆、銳迪科、Amazing Microelectronics和ELK的專家也將發(fā)表有關(guān)智能手機(jī)的專題演講，下午3:40分還將舉辦“智能手機(jī)會(huì)否走2G手機(jī)的同質(zhì)化之路”的圓桌討論，地點(diǎn)在深圳會(huì)展中心1號(hào)館IIC-China 2012展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，期待您的光臨。