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[導讀]內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響,11月營收20.26億元,創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳,不過力晶正式宣布,宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產(chǎn),持續(xù)朝轉型之路邁進


內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響,11月營收20.26億元,創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳,不過力晶正式宣布,宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產(chǎn),持續(xù)朝轉型之路邁進。
力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后,積極邁開業(yè)務轉型步伐,該公司發(fā)言人譚仲民指出,代工事業(yè)的制程技術獲得重大進展,與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅動芯片高壓制程,已開發(fā)成功并進入量產(chǎn),此技術承接原瑞薩電子之制程技術,將廣泛應用于行動裝置的液晶面版驅動芯片上面。
力晶是國內第一家采用12吋廠量產(chǎn)90納米驅動芯片的半導體公司,并采用材料成本較低的鋁制程。透過新一代90納米制程技術,力晶所生產(chǎn)的驅動芯片,可配置于鋁制程中的最小靜態(tài)隨機存取內存,在相同的芯片面積下,較目前主流的130納米制程內嵌內存容量可增為兩倍,未來隨著智能型手機屏幕尺寸變大、分辨率提升的市場趨勢,終端客戶可在充分有效控制成本的情況下,提供給更高階的智能型手機使用。
譚仲民表示,Renesas SP Drivers Inc.一直是驅動相關技術領域的先驅,新一代的技術更配合環(huán)保省電的要求,采用低電壓運作的設計,再加上制程技術與內存領域的面積微縮技術,可以進一步達到內存容量倍增及低耗電量的優(yōu)勢。
譚仲民強調,公司12吋廠90納米驅動芯片技術,適合搭載大容量內存的高階智能型手機,將可望帶動該公司轉型晶圓代工的業(yè)務增長。
鑒于DRAM市場持續(xù)低迷,譚仲民指出,該公司已加大業(yè)務轉型的力度,進一步減少標準型DRAM的投片量,有效降低該項產(chǎn)品所造成現(xiàn)金流失,同時也將使DRAM在力晶的產(chǎn)銷比重顯著減少;至于晶圓代工部門持續(xù)投入研發(fā),隨著代工業(yè)務的成長,將改善財務、營運體質。
另外,受到標準型內存跌價與營收貢獻度持續(xù)減少下,力晶11月營收20.26億元,創(chuàng)下2009年7月以來新低紀錄,較上月減少5.8%,較去年同期亦衰退47.77%,累計前11月營收為356.32億元,年減53.89%。
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