臺(tái)積電的0.25μm一次寫(xiě)入型存儲(chǔ)器獲得車(chē)載質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
[導(dǎo)讀]臺(tái)積電（TSMC）宣布，該公司0.25μm的OTP（OneTimeProgrammable）存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車(chē)電子設(shè)備協(xié)會(huì)（AutomotiveElectronicCouncil，AEC）的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade1”規(guī)格認(rèn)證（參閱英文發(fā)布資料）。臺(tái)積電已經(jīng)在0.2
臺(tái)積電（TSMC）宣布，該公司0.25μm的OTP（OneTimeProgrammable）存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車(chē)電子設(shè)備協(xié)會(huì)（AutomotiveElectronicCouncil，AEC）的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade1”規(guī)格認(rèn)證（參閱英文發(fā)布資料）。
臺(tái)積電已經(jīng)在0.25μm和0.18μm用閃存IP方面獲得了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這些主要用于車(chē)載微控制器（MCU）用途。另外，此次的OTP存儲(chǔ)器將用于把電源管理（PowerManagement）和模擬應(yīng)用封裝到SoC時(shí)。具體能夠用于模擬信號(hào)調(diào)整（AnalogTrimming）、配置（Configuration）設(shè)定、密鑰以及向用戶提供固有定制（Customization）等。
此次的IP內(nèi)核基于從臺(tái)灣力旺電子（eMemoryTechnology）獲得授權(quán)的BitCell構(gòu)造。無(wú)需追加工藝步驟便可用于臺(tái)積電的雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝、混合信號(hào)/模擬工藝以及標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝中。可在25℃的工作溫度下，保證10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間。采用了最初編程需要7.5V電壓、，編程完畢后可在5V單一電源下工作的設(shè)計(jì)。
臺(tái)積電已經(jīng)在0.25μm和0.18μm用閃存IP方面獲得了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這些主要用于車(chē)載微控制器（MCU）用途。另外，此次的OTP存儲(chǔ)器將用于把電源管理（PowerManagement）和模擬應(yīng)用封裝到SoC時(shí)。具體能夠用于模擬信號(hào)調(diào)整（AnalogTrimming）、配置（Configuration）設(shè)定、密鑰以及向用戶提供固有定制（Customization）等。
此次的IP內(nèi)核基于從臺(tái)灣力旺電子（eMemoryTechnology）獲得授權(quán)的BitCell構(gòu)造。無(wú)需追加工藝步驟便可用于臺(tái)積電的雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝、混合信號(hào)/模擬工藝以及標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝中。可在25℃的工作溫度下，保證10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間。采用了最初編程需要7.5V電壓、，編程完畢后可在5V單一電源下工作的設(shè)計(jì)。
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關(guān)鍵字： 專(zhuān)利侵權(quán) 三星 臺(tái)積電 高通公司 337調(diào)查 USITC
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