今年初，半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退，SEMI全球晶圓廠預測報告顯示，從2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造設備資本支出下降26%，達32億美元。然而，該報告也指出，在2009年第二季，資本支出將走出谷底，整個供應鏈已呈現(xiàn)出改善的跡象。

SEMI指出，今年6月，臺積電率先宣布將其2009年資本支出提升至2008年的19億美元水準(較先前預估值提高26%)。而在2009年第二季法說會上，該公司則將2009年資本支出計劃上調(diào)至23億美元，更甚于2008年。這些投資預計將集中在40/45nm以下技術節(jié)點。

時間進入2009年第三季，亞洲的領先晶圓代工廠均表示，其第二季的營收與產(chǎn)能利用率均強勁反彈。他們希望看到第三季也能持續(xù)成長。例如，特許半導體認為今年65nm及以下技術節(jié)點的需求強勁，已決定提高33%的資本支出，達5億美元，將用于Fab 7產(chǎn)能。另一方面，由于對先進制程技術需求不斷攀升，聯(lián)電也擴增了2009年資本支出，從低于4億美元調(diào)整到5億美元。

至于內(nèi)存部份，在歷經(jīng)近兩年的緊縮之后，目前也看到了一些資本支出方面的恢復跡象，預計將成為2010年半導體設備業(yè)的推動力量之一。最近，所有內(nèi)存廠商都在削減開支和產(chǎn)能。但幸運的是，DRAM和NAND閃存的產(chǎn)能過剩已逐漸緩解，因此，自2009年第一季以來，內(nèi)存芯片價格已漸趨穩(wěn)定。

韓國的三星(Samsung)和海力士(Hynix)已經(jīng)修正了他們的2009年下半年投資計劃。由于看到主要PC OEM的價格均能維持一定水準，且需求也穩(wěn)定成長，這兩家韓國巨擘也計劃加速其技術升級的時間表，以滿足市場需求。以三星為例，這家公司打算提升其半導體部門在2009年第二季的資本支出，以保持領先態(tài)勢。另一方面，海力士則計劃下半年提高其NAND與DRAM的產(chǎn)能，并預計在今年底前完成44nm DRAM與32nm NAND產(chǎn)品的開發(fā)。這意味著兩家公司的速度將比投資于領先技術節(jié)點更快。

臺灣地區(qū)的DRAM制造商是否會展開整合至今仍不明朗，也許為時已晚了。但南亞科技(Nanya)與華亞[Inotera，南亞和美光(Micron)合資的企業(yè)]正準備藉由轉移至54nm DRAM的大型投資計劃翻身。他們預計今年就展開投資，但大部分的支出將會集中在2010年。

后段制程方面，自2009年第二季起，產(chǎn)能利用率便大幅提升，上游的晶圓廠也展現(xiàn)出強勁需求，在臺灣地區(qū)，領先的封測公司均針對先進技術節(jié)點和部份特定應用修正了今年度的資本支出計劃，特別是在晶圓植凸塊(wafer bumping)和晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)方面。

從另一種角度來看，SEMI的北美訂單出貨報告顯示，自2009年1月起，已經(jīng)連續(xù)5個月不斷改善。盡管當前的資本支出主要側重于技術升級而非產(chǎn)能[初制晶圓(wafer start)]，但預計自2009年下半年起一直到2010年，半導體業(yè)的設備支出將繼續(xù)改善，可望脫離谷底。