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[導(dǎo)讀]盡管圍繞著可制造性設(shè)計(DFM)的價值、定義、變化性和技術(shù)爭執(zhí)頗多,但所有的問題都是基于芯片。當(dāng)然,當(dāng)我們開始考慮45和32納米設(shè)計時,芯片DFM是很關(guān)鍵的要求。然而,關(guān)注芯片DFM,卻忽視了更重要的技術(shù)需要:面向印

盡管圍繞著可制造性設(shè)計(DFM)的價值、定義、變化性和技術(shù)爭執(zhí)頗多,但所有的問題都是基于芯片。當(dāng)然,當(dāng)我們開始考慮45和32納米設(shè)計時,芯片DFM是很關(guān)鍵的要求。然而,關(guān)注芯片DFM,卻忽視了更重要的技術(shù)需要:面向印刷電路板的DFM。

我們都知道即使硅片百分之百完美,如果芯片到芯片通信鏈接的任何一個元件(比如封裝,連接頭或電路板)損壞,目標(biāo)系統(tǒng)可能仍然不能正常工作。許多封裝、連接器PCB供應(yīng)商也許被系統(tǒng)設(shè)計師追逼著控制他們的加工容差。

但是,除非所有供應(yīng)商一致加強(qiáng)規(guī)范,例如一個有正負(fù)5%容差的連接器對PCB正負(fù)10%容差的系統(tǒng)可能收效不大。為了優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計,設(shè)計師需要研究每個元件的因果關(guān)系。迄今為止,我們沒有DFM工具來處理諸如此類的設(shè)計問題。

在預(yù)布局設(shè)計階段,高速系統(tǒng)或信號完整性工程師通常只能進(jìn)行有限的Spice仿真。為確保系統(tǒng)工作正常,需要對能覆蓋所有加工容差的邊界情形進(jìn)行仿真。

例如,PCB內(nèi)的金屬線寬變化、介電堆疊高度、介電質(zhì)常數(shù)和損耗正切值全部都能影響阻抗和衰減。然而,僅有較大規(guī)模公司的工程師才可能有資源來定制自有的腳本,來進(jìn)行上千次仿真工作,然后再對結(jié)果進(jìn)行處理。即便這樣,對哪種變量進(jìn)行掃描仍然沒有定義完好的標(biāo)準(zhǔn)。

最明顯缺乏的是封裝和連接器的邊界模型。對于高速設(shè)計,這些模型只能通過與頻率相關(guān)的S參數(shù)來精確定義。然而,極少有供應(yīng)商提供好的S參數(shù)模型,更不用說在寬范圍頻率內(nèi)的邊界模型了。

在后布局驗(yàn)證階段,需要進(jìn)行復(fù)雜PCB的精確提取和仿真,以計算詳細(xì)的轉(zhuǎn)角和彎曲??墒?,幾乎沒有工具可用。

很明顯,需要通用的PCB設(shè)計和驗(yàn)證方法。那么,我們需要些什么呢?

讓我們關(guān)注兩大領(lǐng)域。對預(yù)布局設(shè)計,舉例來說,最好有GUI驅(qū)動的線路圖輸入編輯器,使設(shè)計師能容易地輸入每個元件的變化,仿真并處理結(jié)果,報告每個變量的產(chǎn)生和影響。

對后布局驗(yàn)證,DFM工具需要能自動調(diào)整版圖以覆蓋邊界情形,采用快速的全波提取器來提取寄生參數(shù),在電路仿真中用I/O晶體管邊界模型仿真。

只有當(dāng)設(shè)計師在設(shè)計和驗(yàn)證內(nèi)都考慮了工差,他們才能說做了可制造性設(shè)計。只有當(dāng)工具供應(yīng)商認(rèn)識到芯片只是子系統(tǒng)——比如PCB——的一部分,那么DFM最終才能與開發(fā)終端產(chǎn)品的客戶真正相關(guān)起來。
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