英飛凌科技股份公司（Infineon）今日宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產的集成電路。該產品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 

英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業(yè)部（ADS）總經理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內核，使硬盤驅動器行業(yè)能夠滿足下一代產品要求，包括更高的數據率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經過測試的內核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實現高達2.7Gb/s的數據率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比，性能提高約50%。”

新一代讀取信道技術可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯編碼技術來大幅提高存儲密度，實現更佳的信噪比（SNR）性能。 

英飛凌的90納米讀取信道內核立足于一個通用架構，適用于所有硬盤驅動器細分市場（如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應用等）。按照每個細分市場的特定目標參數進行定制化設計，能夠滿足不同硬盤驅動器平臺的要求。

目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內核產品，用于電池供電設備，旨在實現極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產品的英飛凌90納米工藝，這種產品還能實現超長的待機時間和更佳的泄漏電流表現。  
 
英飛凌采用其90納米CMOS工藝制造的全新讀寫信道內核，在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力，可以滿足不同應用的需要。英飛凌先進的工藝和設計體系，能夠讓設計商以經濟合算的方式對單一芯片上的混合信號和數字信號處理（DSP）進行針對性優(yōu)化，從而滿足從高性能企業(yè)級服務器到低功耗便攜式消費電子產品等各種應用的需求。90納米CMOS工藝的主要優(yōu)勢是，利用先進的節(jié)能概念，如有源井、時鐘門控（clock-gating）和帶有6-9層銅金屬化的微動開關等，將多個閾值電壓和多個最小閘極尺寸僅為70納米的閘極氧化層設備集成于單一芯片上。