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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過(guò)轉(zhuǎn)變策略來(lái)應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來(lái)的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P(pán)退出核心業(yè)務(wù)?! ∮捎谛酒袠I(yè)從2007年起陷入有史以來(lái)最嚴(yán)重的滑坡,南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司

臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過(guò)轉(zhuǎn)變策略來(lái)應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來(lái)的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P(pán)退出核心業(yè)務(wù)。

  由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來(lái)最嚴(yán)重的滑坡,南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):力晶)等臺(tái)灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈,但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。

  與此同時(shí),韓國(guó)和日本的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。

  為應(yīng)對(duì)上述局面,臺(tái)資公司增加了外包業(yè)務(wù),并將側(cè)重點(diǎn)由核心業(yè)務(wù)DRAM芯片轉(zhuǎn)向另一種芯片,即NAND閃存芯片,以期恢復(fù)盈利。

  DRAM芯片廣泛用于個(gè)人電腦。NAND閃存芯片廣泛用于音樂(lè)播放器及數(shù)碼相機(jī),從21世紀(jì)初開(kāi)始普及,可利用現(xiàn)有的DRAM芯片生產(chǎn)線生產(chǎn)。

  日本公司20世紀(jì)90年代在DRAM芯片生產(chǎn)行業(yè)居于主導(dǎo)地位,但很快讓位于韓國(guó)生產(chǎn)商。除爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)以外,幾乎所有的日本生產(chǎn)商之后均退出了此項(xiàng)業(yè)務(wù)。

  臺(tái)灣生產(chǎn)商在20世紀(jì)80年代末進(jìn)入DRAM芯片市場(chǎng)。為迅速提升市場(chǎng)占有率,臺(tái)灣DRAM芯片生產(chǎn)商在2005至2007年期間大舉擴(kuò)張產(chǎn)能。但這些公司為此向銀行大量借款,并大舉發(fā)行債券,結(jié)果,產(chǎn)能過(guò)剩及現(xiàn)金流萎縮等問(wèn)題的出現(xiàn)使它們?yōu)閭鶆?wù)所困。

  同時(shí),韓國(guó)的三星電子(Samsung Electronics Co.)仍在贏利。以收入計(jì),三星電子是全球最大的DRAM芯片及NAND閃存芯片生產(chǎn)商。日本東芝公司(Toshiba Corp.)是收入位居第二的NAND閃存芯片生產(chǎn)商。

  市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli Corp.的調(diào)查顯示,截至第三季度末,臺(tái)灣DRAM芯片生產(chǎn)商總體的市場(chǎng)占有率為10.8%,低于上年同期的12.8%。而韓國(guó)DRAM芯片生產(chǎn)商總體的市場(chǎng)占有率則由上年同期的49.3%升至57.2%。日本唯一一家DRAM芯片生產(chǎn)商爾必達(dá)的市場(chǎng)占有率由15.8%升至16.9%。

  臺(tái)灣集邦全球電子交易市集(DRAMexchange)的分析師楊雅欣(Joyce Yang)表示,從長(zhǎng)期來(lái)看,因臺(tái)灣DRAM芯片生產(chǎn)商減產(chǎn),它們的市場(chǎng)占有率將進(jìn)一步下降。

  茂德科技和華邦電子股份有限公司(Winbond Electronics Co., 簡(jiǎn)稱(chēng):華邦電子) 11月份同意根據(jù)爾必達(dá)的設(shè)計(jì)生產(chǎn)芯片,而非生產(chǎn)自有品牌芯片。

  茂德科技副總經(jīng)理曾邦助(Ben Tseng)表示,目前公司的重中之重是產(chǎn)生現(xiàn)金流以維持運(yùn)營(yíng),而非提高市場(chǎng)占有率。

  茂德科技今年4月份脫離破產(chǎn)保護(hù)。之前,該公司獲得新臺(tái)幣30億元(合9,340萬(wàn)美元)的銀團(tuán)貸款,大幅折價(jià)回購(gòu)了價(jià)值3.356億美元的海外可轉(zhuǎn)換債券。

  市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示,截至第三季度末,茂德科技在DRAM芯片市場(chǎng)的占有率由上年同期的3%降至1.2%。

力晶10月份表示,計(jì)劃大幅擴(kuò)大NAND芯片的生產(chǎn)。這家核心業(yè)務(wù)為DRAM芯片的公司計(jì)劃使DRAM芯片、NAND芯片及芯片代工(即按照其他公司設(shè)計(jì)方案生產(chǎn)的芯片)在其業(yè)務(wù)中所占比例最終各達(dá)到三分之一。

  力晶副總經(jīng)理譚仲民(Eric Tang)稱(chēng),公司希望通過(guò)此項(xiàng)策略降低依賴(lài)單一產(chǎn)品而產(chǎn)生的業(yè)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)。

  但隨著越來(lái)越多的生產(chǎn)商進(jìn)入NAND閃存芯片市場(chǎng),NAND閃存芯片像DRAM芯片一樣逐漸普及,其價(jià)格也和DRAM芯片一樣大幅波動(dòng)。

  花旗集團(tuán)(Citigroup)的分析師林子謙(Timothy Lam)表示,即便力晶進(jìn)入NAND芯片市場(chǎng),其技術(shù)也已經(jīng)落后于三星電子和東芝。

  三星電子和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.)目前甚至計(jì)劃加快更先進(jìn)的40納米制程技術(shù)的研發(fā)進(jìn)程。該技術(shù)可以更低的成本生產(chǎn)更多芯片。以收入計(jì),海力士半導(dǎo)體是全球第二大DRAM芯片生產(chǎn)商。

  爾必達(dá)計(jì)劃在2010年由60納米制程技術(shù)過(guò)渡至40納米制程技術(shù)。

  芯片的晶體管元件及其距離是以納米為衡量單位的。晶體管越小,排列越緊密,芯片的功能就越強(qiáng)。

  南亞科技與美光科技公司(Micron Technology Inc.)組建的合資公司華亞科技股份有限公司(Inotera Memories Inc., 簡(jiǎn)稱(chēng):華亞科技)是唯一一家正在向50納米技術(shù)過(guò)渡的臺(tái)灣芯片生產(chǎn)商,得益于其技術(shù)合作伙伴美光科技。華亞科技表示,將繼續(xù)生產(chǎn)DRAM芯片

  不過(guò),富邦投顧(Fubon Securities Investment Services Co.)的分析師李克揚(yáng)(Kenneth Lee)表示,盡管如此,華亞科技的未來(lái)仍然取決于美光科技,只有當(dāng)該公司具有足夠強(qiáng)的全球競(jìng)爭(zhēng)力,才能自主獲得或開(kāi)發(fā)關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。

  為保持臺(tái)灣在DRAM芯片生產(chǎn)方面的競(jìng)爭(zhēng)力,政府于7月份組建了臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體股份有限公司(Taiwan Memory Company),旨在整合旗下實(shí)力較弱的關(guān)聯(lián)公司,并尋求與爾必達(dá)聯(lián)手開(kāi)發(fā)關(guān)鍵技術(shù)。但臺(tái)灣立法機(jī)構(gòu)反對(duì)該計(jì)劃,因其認(rèn)為,新臺(tái)幣81億元的政府投資預(yù)算規(guī)模過(guò)大。

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消息稱(chēng)臺(tái)積電將于今年9月開(kāi)始對(duì)3納米芯片進(jìn)行量產(chǎn)。這下,三星要坐不住了!雖然三星在6月30日稱(chēng)自己已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3納米的量產(chǎn)。

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周四美股交易時(shí)段,受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開(kāi)盤(pán),但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開(kāi)盤(pán)低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來(lái)股價(jià)集體腰斬。

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在半導(dǎo)體制造中,《國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年,三星電子和臺(tái)積電已開(kāi)始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并計(jì)劃在2020年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

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