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三星DDR4內(nèi)存芯片速度提升一倍 2012年投產(chǎn)

時(shí)間：2011-01-06 13:52:30

關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片 DDR4 三星電子

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[導(dǎo)讀]三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。

三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。

目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流產(chǎn)品是DDR3內(nèi)存模塊，其性能比DDR2產(chǎn)品有所提高。三星電子稱(chēng)，它是DRAM內(nèi)存行業(yè)第一個(gè)開(kāi)發(fā)出DDR4內(nèi)存芯片的廠商。

三星電子補(bǔ)充說(shuō)，這種新的內(nèi)存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內(nèi)存芯片相比，DDR4內(nèi)存芯片的耗電量是1.2伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內(nèi)存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒1.6GB。

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