據國外媒體報道，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲制造技術，這一技術使電子存儲芯片設計更加密集化，有利于縮小產品占據的空間。此款20納米級的 NAND芯片產品估計可在今年下半年大量生產。

英特爾和美光曾經合作制造的AND快閃存儲芯片很多年，具有長期的合作伙伴關系。NAND閃存常用于制造智能手機或平板電腦。

先前版本的芯片為25納米級，英特爾表示升級至20納米后，不僅可維持同等級運算性能和耐久度，儲存空間更是多出50％大小。

美光的NAND市場部總裁凱文基爾伯克宣稱：持續(xù)縮減NAND的尺寸，確實為市場帶來新應用程序空間在現有產品格式下，我們擁有更多空間放入 存儲，或能以更低的成本價位，保持同等存儲規(guī)格。

目前的8G的NAND閃存芯片采用新款20納米級技術，可減少約30-40％的體積，也讓平板電腦和智能手機制造商節(jié)省空間，可以使用作額外功能改 善，例如加大電池續(xù)航力，擴大屏幕，增添芯片來支持新的功能等等。

英特爾和美光稱，他們預計將在今年下半，推出16G的NAND閃存的新芯片產品。