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[導(dǎo)讀]21ic訊 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元(MLC)NAND設(shè)備,在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存,進一步擴展了雙方在NAND制程

21ic訊 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元(MLC)NAND設(shè)備,在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存,進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

單片容量達128Gb的全新20納米制程NAND設(shè)備是由英特爾與美光的合資企業(yè)——IM Flash Technologies(IMFT)開發(fā)而成,它也是業(yè)內(nèi)首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實現(xiàn)1Tb數(shù)據(jù)存儲容量的NAND設(shè)備。與英特爾及美光現(xiàn)有的20納米制程64Gb NAND設(shè)備相比,新設(shè)備在存儲容量和性能方面均提升了一倍。它還符合高速ONFI 3.0(Open NAND Flash Interface 3.0)規(guī)范,傳輸速度可達333 MT/s(每秒百萬次傳輸),可為用戶帶來更加經(jīng)濟高效的固態(tài)存儲解決方案,以滿足當今纖薄時尚型產(chǎn)品,包括平板電腦、智能手機和大容量固態(tài)硬盤(SSD)的設(shè)計需求。

美光公司NAND解決方案部門副總裁Glen Hawk表示:“隨著便攜式產(chǎn)品日趨小型化和時尚化,以及服務(wù)器需求的日益增加,我們的用戶期望美光能夠推出創(chuàng)新的存儲技術(shù)和系統(tǒng)解決方案來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)深化與英特爾公司的合作,不斷推出領(lǐng)先的NAND技術(shù)和提供對構(gòu)建相關(guān)系統(tǒng)來說至關(guān)重要的專業(yè)知識。”

英特爾和美光還透露,其20納米制程工藝技術(shù)成功的關(guān)鍵,就在于一種創(chuàng)新的存儲單元結(jié)構(gòu),它擁有比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)更高的存儲單元可擴展性,這一結(jié)構(gòu)就是業(yè)界首創(chuàng)的平面存儲單元結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)能夠幫助有效克服先進制程技術(shù)一直面臨的挑戰(zhàn),同時實現(xiàn)毫不遜色于上一代產(chǎn)品的卓越性能與可靠性。平面存儲單元結(jié)構(gòu)通過在NAND閃存制造中集成首個高K/金屬柵極堆棧,成功打破了標準NAND閃存浮置柵極單元的擴展限制。

英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示:“在英特爾和美光的攜手努力下,我們的制造團隊創(chuàng)下了多個業(yè)界第一,推出了眾多高密度、低成本的高品質(zhì)20納米制程NAND設(shè)備,有力地鞏固了我們在NAND技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,對此我們備感振奮。通過使用平面存儲單元結(jié)構(gòu)和高K/金屬柵極堆棧技術(shù),IMFT進一步提升了我們在NAND閃存解決方案上的技術(shù)能力,以支持更多富有吸引力的全新產(chǎn)品、服務(wù)及設(shè)備規(guī)格的問世。”

當前,三大彼此關(guān)聯(lián)的市場趨勢激發(fā)了對于大容量NAND閃存設(shè)備的需求,它們包括:數(shù)據(jù)存儲的增長、向云計算的邁進及便攜式設(shè)備的廣泛使用。隨著數(shù)字化內(nèi)容的日益增長,用戶希望能夠跨多種設(shè)備使用數(shù)據(jù),并通過云計算進行同步。為有效傳輸數(shù)據(jù),服務(wù)器需要采用高性能、大容量的存儲設(shè)備,而這正是NAND閃存的優(yōu)勢所在。與此同時,由于數(shù)據(jù)訪問量的增加,移動設(shè)備的存儲容量也在不斷增長,高清晰度視頻就是需要大容量存儲支持的一個應(yīng)用范例,這是因為以數(shù)據(jù)流方式傳輸此類內(nèi)容難以實現(xiàn)出色的用戶體驗。這些需求使得高性能、小型化的存儲設(shè)備日漸受到歡迎,無論是在接收內(nèi)容的移動設(shè)備上,還是在交付內(nèi)容的存儲服務(wù)器上,它們均可找到用武之地。

英特爾美光表示,通過在12月開始量產(chǎn)20納米制程64Gb NAND閃存產(chǎn)品,將有助于在2012年快速轉(zhuǎn)換到128Gb設(shè)備的生產(chǎn)。128Gb設(shè)備的樣品將在2012年1月份推出,緊接著在2012年上半年就可實現(xiàn)批量生產(chǎn)。這一里程碑式的轉(zhuǎn)換將會進一步增大產(chǎn)品存儲密度并大幅提升總體產(chǎn)量,同時也可幫助兩家公司的開發(fā)團隊獲得設(shè)計復(fù)雜存儲解決方案和改善未來相關(guān)技術(shù)所需的專業(yè)知識及經(jīng)驗。
 

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