三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內(nèi)首個成功試產(chǎn)16GB DDR4內(nèi)存模組的廠商。此次亮相的這一產(chǎn)品為RDIMM形式，面向企業(yè)級服務器市場。

目前三星采用的生產(chǎn)制程工藝為30nm級別，6月試產(chǎn)的樣品包括單條8GB/16GB容量型號。三星此前曾在2010年12月份展示過業(yè)界首個30nm工藝2GB DDR4內(nèi)存。

三星透露，DDR4內(nèi)存對比DDR3的優(yōu)勢顯而易見：帶寬方面明年的DDR4產(chǎn)品最多可達目前常見的DDR3-1600的兩倍，即3200Mbit/s；此外工作電壓對比三星此前的DDR3L內(nèi)存1.35V數(shù)值也下降至1.2V，使得整體功耗最多可減小約40%。

三星表示將與OEM客戶以及主要CPU/內(nèi)存控制器制造商緊密合作擴展高存儲密度DDR4內(nèi)存模塊的市場，零售產(chǎn)品預計將于明年大規(guī)模量產(chǎn)上市。而在制程進化到20nm級別之后，DDR4內(nèi)存的單條容量更是可提升至32GB。