今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。

在過(guò)去的兩年中，DRAM、NAND閃存都有持續(xù)將近兩年的漲價(jià)，不過(guò)NAND閃存今年初開(kāi)始降價(jià)，主要原因是2017年底四大NAND廠商的64層3D NAND閃存解決良率問(wèn)題，產(chǎn)能迅速增長(zhǎng)，今年以來(lái)市場(chǎng)已經(jīng)是供過(guò)于求。Digitimes援引業(yè)界消息稱(chēng)Q3季度NAND生產(chǎn)商還會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)來(lái)擴(kuò)大產(chǎn)量，閃存供應(yīng)在Q3季度還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。

另一方面，NAND的需求已經(jīng)不足以消化NAND產(chǎn)能的增長(zhǎng)，而這一產(chǎn)能增長(zhǎng)將持續(xù)到Q3季度，智能手機(jī)市場(chǎng)的需求并沒(méi)被像預(yù)期的那樣快速增長(zhǎng)。

與此同時(shí)，不合格的NAND閃存也上市了，擾亂了閃存市場(chǎng)價(jià)格。

從供過(guò)于求持續(xù)不斷的情況來(lái)看，消息人士擔(dān)心2018下半年NAND閃存價(jià)格仍將處于下行趨勢(shì)，即便考慮到季節(jié)性因素，Q4季度乃至2019年Q1季度供過(guò)于求的情況可能會(huì)更嚴(yán)重。

消息人士稱(chēng)NAND閃存供應(yīng)商將在Q3季度遭遇高庫(kù)存水平，今年初供應(yīng)商設(shè)立了比之前容量更大的倉(cāng)庫(kù)，因?yàn)橹八麄儗?duì)閃存市場(chǎng)的預(yù)測(cè)還比較樂(lè)觀。

如果這些情況持續(xù)下去，所有負(fù)面因素都可能導(dǎo)致2020年全球NAND閃存市場(chǎng)大洗牌。