根據最近報道，一個來自日本中央大學的研究小組，成功發(fā)展出一種新型混合SSD存儲體，存儲和讀取速度比目前一般的固態(tài)存儲單元快11倍。不僅如此，這種新存儲體能耗比純NAND閃存低93%，壽命則延長了7倍。

這種新型混合存儲體，是由NAND閃存單元和新型硅晶片ReRAM(可變式電阻記憶體）組合而成。NAND 閃存我們比較熟悉了，而對ReRAM硅晶片，先前曾有報道稱它的速度比一般的閃存記憶體快100倍。ReRAM由二氧化矽（silicon oxide）制成，因此晶片的電阻表現(xiàn)更佳，另外因為其不需要真空生產，所以造價也比較便宜。借助其對各種傳導率的適應能力這款芯片也可以被當做內存等記憶體使用。而且Elpida、Sharp、Panasonic這些廠商目前已將這種技術應用到自己的芯片產品中去。

硬盤和內存一直是傳統(tǒng)PC運行速度最大的瓶頸，由于存儲媒介讀取速度慢，受限于傳輸的較小數據流和較窄的帶寬，CPU空有強大的處理能力而無法完全發(fā)揮。如果這種新型混合SSD大面積商用和推廣，PC的系統(tǒng)啟動速度和軟件啟動速度，都將明顯提高，進入大型游戲無需再經過漫長等待，讀取龐大文件和程序固有的延遲也將大大減少。舉個例子，魔獸世界切換界面和主城地圖的過程將變成一瞬間的事。目前因為前期投資成本的問題，ReRAM晶片的造價還比較高，因此這種新型混合SSD存儲體離消費市場還比較遙遠。可以預見的是，由于新存儲媒介的高效，它可能最先出現(xiàn)在成本較高的商業(yè)系統(tǒng)上。

研究團隊明天將參加在夏威夷舉行的半導體國際會議( Hawaii Symposium on VSLI Circuits)，對這種新技術進行公開討論。