【21ic電子網原創(chuàng)】：三星將在2012 ISSCC會議上發(fā)布20nm制程的8GB相變內存（PCM），重新點燃業(yè)界關于相變內存是否可投入商用的爭論。

2011年12月5日到7日在華盛頓舉行的國際電子器件會議上，三星的工程師將先展示20nm制程的相變RAM單元。

與當前的技術水平相比，20nm制程的8G相變RAM是一大很大的飛躍。在2011年2月舉行的ISSCC會議上，三星展示了58nm制程的1G相變內存，該內存配備了一個低功耗的DDR非易失性內存（LPDDR2-N）接口。

三星和美光科技公司（Micron Technology）是業(yè)界可提供非易失性相變內存并投入商用的兩家公司。即便如此，目前該領域還是幾乎沒有關于相變內存的報告。

此次三星打算推出一個工作電壓為1.8V、帶寬為40Mb/s的20nm制程的大型相變內存，這使得相變內存的性能提升至接近NAND閃存的水平。

不過，NAND閃存存儲和檢測多位元的能力使得閃存比PCM更具內存容量優(yōu)勢。閃存也有望可以發(fā)展成以一種垂直堆疊多個內存單元的形式來使內存容量進一步微縮。

相變內存的工作原理是通過檢測電阻加熱時硫屬化合物合金在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的轉變所產生的電阻變化來存儲信息。業(yè)界一直希望這種技術可以將交叉點內存的可微縮性優(yōu)勢與閃存的非易失性優(yōu)勢相結合，同時提供優(yōu)異的耐用性和尋址能力。

不過，PCM在部署上還面臨著很多障礙，不僅僅是超越NAND閃存的快速微縮能力。PCM的技術挑戰(zhàn)將繼續(xù)存在于存儲單元微縮熱效應的能力，以及來自鄰近單元的熱干擾問題。另外，考慮到PCM材料對溫度的敏感性，不知道預編程的相變內存在印刷電路板生產過程中是否會受影響。