圖1：東芝提出的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略

東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略（圖1）。東芝計劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。

　　轉(zhuǎn)用四日市工廠的200mm生產(chǎn)線

分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面，將致力于在社會基礎(chǔ)設(shè)施和車載用途有望產(chǎn)生巨大需求的功率元件領(lǐng)域。東芝在功率元件領(lǐng)域的市場份額目前位居全球第三，“計劃以自主開發(fā)的元件技術(shù)和大口徑生產(chǎn)技術(shù)為優(yōu)勢，在數(shù)年內(nèi)達(dá)到業(yè)內(nèi)第一”（小林）。

在社會基礎(chǔ)設(shè)施和汽車領(lǐng)域的需求高漲的功率元件市場上，分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)計劃實現(xiàn)全球第一的份額。模擬成像IC業(yè)務(wù)方面，將致力于BSI型CMOS傳感器。合并了存儲器業(yè)務(wù)和硬盤的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)方面，將提供面向數(shù)據(jù)中心的綜合解決方案。照片為東芝的資料，圖由本刊制作。

起決定性作用的，是NAND閃存的生產(chǎn)基地——四日市工廠的200mm生產(chǎn)線。該生產(chǎn)設(shè)備已開始用于功率元件的生產(chǎn)基地加賀工廠。通過利用存儲器業(yè)務(wù)中完成折舊的生產(chǎn)設(shè)備，“能以較少的投資實現(xiàn)大口徑化并擴(kuò)大產(chǎn)能”（小林）。東芝今后將加快200mm進(jìn)程。計劃到2013年，將200mm晶圓在功率半導(dǎo)體整體產(chǎn)能中所占的比例提高到80％以上。

該公司為支持更高的電力容量和高速工作頻率，將大力開發(fā)采用新材料SiC和GaN的功率元件。

致力于BSI型CMOS傳感器

模擬成像IC業(yè)務(wù)方面，東芝宣布，已將定位為尖端邏輯LSI生產(chǎn)基地的大分工廠300mm生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)用為背面照射（BSI）型CMOS傳感器等的生產(chǎn)線。

東芝預(yù)測，小型高靈敏度BSI型傳感器到2014年將在CMOS傳感器市場上占一大半。雖然BSI型CMOS傳感器的一部分由海外硅代工企業(yè)生產(chǎn)，但“由于生產(chǎn)工藝復(fù)雜，未必能有效生產(chǎn)”（小林）。而東芝“通過利用存儲器業(yè)務(wù)中積累的工藝經(jīng)驗，能夠以簡單的工藝制造BSI型傳感器”（小林）。

東芝已從2010年底開始，在業(yè)內(nèi)率先采用300mm晶圓量產(chǎn)了設(shè)計規(guī)則為65nm、像素間距為1.4μm的第一代BSI產(chǎn)品。2011年底將量產(chǎn)像素間距縮短為1.1μm的第二代產(chǎn)品。

另一方面，大分工廠等生產(chǎn)的邏輯LSI今后將進(jìn)一步推進(jìn)代工生產(chǎn)。2011年4月，東芝解散了與索尼的合資生產(chǎn)公司（位于長崎），出售了相關(guān)設(shè)備。該公司計劃，2011年將采用300mm晶圓的SoC生產(chǎn)的外包比例從2010年的零提高到50％，2013年提高到80％以上。

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加速M(fèi)RAM實用化

存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，將加快新型非易失性存儲器MRAM的實用化。東芝2011年7月合并了原半導(dǎo)體公司和存儲產(chǎn)品公司，成立了半導(dǎo)體與存儲器公司。主要目的是，利用NAND閃存的技術(shù)經(jīng)驗，開發(fā)整合了SSD（solid state drive）和硬盤的高性能存儲技術(shù)，并計劃利用MRAM技術(shù)進(jìn)一步提高其性能。

東芝預(yù)測，以數(shù)據(jù)中心為核心，集成存儲技術(shù)的需求今后將暴增，因此加快了NAND閃存的微細(xì)化和三維單元技術(shù)的開發(fā)。不過，NAND閃存還存在訪問性能低的課題。因此，打算將可兼顧DRAM相當(dāng)?shù)母咚傩院?ldquo;1015次”（小林）擦寫次數(shù)的MRAM，用于NAND閃存的緩存等（圖2）。

圖2：配備MRAM的存儲器系統(tǒng)提案

東芝計劃，通過量產(chǎn)速度與DRAM相當(dāng)?shù)腗RAM，進(jìn)一步擴(kuò)大NAND閃存和硬盤市場。圖由本刊根據(jù)東芝的資料制作。

“通過組合使用高速M(fèi)RAM，可以大幅提高NAND閃存和硬盤的實際訪問性能”（小林）。東芝以2014年投產(chǎn)為目標(biāo)，推進(jìn)了MRAM的技術(shù)開發(fā)，將來還計劃用于產(chǎn)品的工作存儲器。

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來源：[db:出處]

作者：tee