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[導(dǎo)讀] 計算機技術(shù)發(fā)展至今,核心硬件的發(fā)展似乎卻低于我們的預(yù)期。大概在5年前,我們感覺RAM內(nèi)存和閃存存儲已經(jīng)不太夠用了。正如處理器已經(jīng)從高主頻轉(zhuǎn)向多核心,電腦的內(nèi)存介質(zhì)也需要一次重大的革新。我們已經(jīng)

計算機技術(shù)發(fā)展至今,核心硬件的發(fā)展似乎卻低于我們的預(yù)期。大概在5年前,我們感覺RAM內(nèi)存和閃存存儲已經(jīng)不太夠用了。正如處理器已經(jīng)從高主頻轉(zhuǎn)向多核心,電腦的內(nèi)存介質(zhì)也需要一次重大的革新。我們已經(jīng)看到了閃存介質(zhì)的存儲空間越來越大,比如2TB的SD卡、更大容量的SSD固態(tài)硬盤等,但在技術(shù)沒有革新的情況下,瓶頸是在所難免的。

新一代的內(nèi)存技術(shù),不僅能夠讓閃存實現(xiàn)數(shù)百GB甚至幾TB的容量,還能夠改變DRAM無法長時間存儲信息的弊端,讓內(nèi)存也可以存儲文件,實現(xiàn)更先進的系統(tǒng)形態(tài)。

目前,已經(jīng)擁有十幾種正在開發(fā)的新型存儲技術(shù),將在未來改變計算機的硬件結(jié)構(gòu),下面來簡單了解一下。

操作系統(tǒng)的影響

首先,更先進的數(shù)據(jù)存儲方案也會在操作系統(tǒng)層面提升數(shù)據(jù)管理的效率。微軟的文件系統(tǒng)專家Spencer Shepler表示,如果能夠讓RAM在系統(tǒng)索引方面發(fā)揮更大作用,直接鏈接到文件并一直存儲在RAM中,那么電腦的數(shù)據(jù)訪問速度將獲得極大的提升。

當(dāng)然,如果RAM中的數(shù)據(jù)不會消失,還會引發(fā)一系列的問題。比如,當(dāng)系統(tǒng)重新啟動時如何檢查系統(tǒng)完整性?那么,如何像使用硬盤那樣把內(nèi)存中的數(shù)據(jù)導(dǎo)出?如果不幸電腦感染病毒,那么內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不會消失,如何維護計算機的安全性?

這些都是操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序設(shè)計者該考慮的問題。Spencer Shepler表示,這需要涉及到信息系統(tǒng)的重建,系統(tǒng)廠商需要開發(fā)出更先進的新技術(shù)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)管理。

新一代內(nèi)存的競爭者

傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存使用的是電容材質(zhì)進行數(shù)據(jù)的存儲,必須隔一段時間刷新一次,所以無法實現(xiàn)數(shù)控的永久存儲;而記憶電阻材質(zhì),則有可能成為其替代品。比如惠普正在研發(fā)的“憶阻器內(nèi)存”,可以使用離子氧化鉭擴展或收縮電壓,當(dāng)電源關(guān)閉時,存儲元件可以保持形態(tài),數(shù)據(jù)不會丟失。目前,諸如松下、海力士、Rambus等多個廠商,都在使用不同的記憶電阻材質(zhì),來開發(fā)新型的RAM。目前記憶電阻內(nèi)存的主要瓶頸在于速度,不過惠普表示隨著技術(shù)的發(fā)展,記憶電阻的速度最終會達到目前DRAM的速度。

記憶電阻內(nèi)存

其他廠商也在類似的產(chǎn)品,如IBM,正在研究相變類存儲介質(zhì),利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的,在加熱和冷卻時不會丟失數(shù)據(jù);納米RAM也是一種類似的原理,使用網(wǎng)狀碳納米管材質(zhì)來替代傳統(tǒng)電容內(nèi)存。

IBM相變存儲芯片

不過,由于技術(shù)成本的關(guān)系,目前惠普主推的憶阻器內(nèi)存最有可能實現(xiàn)商用,但初期的價格仍會比較昂貴。顯然,傳統(tǒng)閃存和DRAM仍然會服役很長一段時間,但是在操作系統(tǒng)、存儲介質(zhì)不斷發(fā)展的情況下,未來的電腦文件存儲和應(yīng)用都將發(fā)生巨大的改變。

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