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[導讀]據(jù)臺灣媒體報道,2000年以來,臺灣半導體業(yè)掀起赴中國發(fā)展熱,加上臺灣當局開放8吋晶圓廠登陸,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)與資金外流,整體業(yè)界的年成長率從過去的2位數(shù)剩下個位數(shù),產(chǎn)業(yè)逐漸邁入微利化時代,部分公司獲

據(jù)臺灣媒體報道,2000年以來,臺灣半導體業(yè)掀起赴中國發(fā)展熱,加上臺灣當局開放8吋晶圓廠登陸,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)與資金外流,整體業(yè)界的年成長率從過去的2位數(shù)剩下個位數(shù),產(chǎn)業(yè)逐漸邁入微利化時代,部分公司獲利直線下滑。

報道稱,再開放12吋廠登陸,恐出現(xiàn)虧損效應。

以聯(lián)電為例,2000年每股盈余4.72元,毛利率達50%;2007年每股稅后盈余1.09元,毛利率下滑到20%;2008年第四季毛利率急遽衰退16.9%,今年第一季是-40%,每股虧損0.64元。

臺積電因技術(shù)與服務具競爭實力,高端制程市占率高,仍維持穩(wěn)定獲利,但仍略微下滑,2000年,每股盈余5.71元、毛利率46%;2008年每股盈余3.86元,毛利率微降到44%;今年第一季毛利率大幅衰退到只剩21.2%。

報道認為,不只臺灣業(yè)者因中國競爭導致微利化,看似蓬勃的中國IC市場需求也有逐漸趨緩現(xiàn)象。

根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2008年中國IC制造業(yè)產(chǎn)值約為481億元人民幣,年成長率20.85%;因下游電子產(chǎn)品需求帶動,2008年中國IC市場規(guī)模達5973億元人民幣,年成長率不到20%,已連續(xù)5年成長率衰退。

工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)市場分析師蔡金坤指出,中國半導體業(yè)在新的勞動合同法、人民幣持續(xù)升值壓力下,下游電子產(chǎn)品的生產(chǎn)成本勢必上升,生產(chǎn)制造基地移往東南亞、東歐的現(xiàn)象將會愈來愈明顯。預估中國IC市場成長率到2015年,將逐漸與全球成長幅度約6%-8%趨于一致。

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據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道,全球晶圓代工龍頭臺積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時間由外界預計的9月底推遲到第四季度后,再一次將其延后一個季度,預計將于明年才能量產(chǎn)。

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英國廣播公司《科學焦點雜志》網(wǎng)站5月22日刊登了題為《什么是摩爾定律?如今是否仍然適用?》的文章,摘要如下:

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荷蘭ASML公司今天發(fā)布了Q3季度財報,凈營收同比增長10%至58億歐元,超出此前預期的53.9億歐元;凈利潤17.01億歐元,同比下降了2.24%,但表現(xiàn)也超出了預期的14.2億歐元。

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周四美股交易時段,受到“臺積電預期明年半導體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個小時內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點向上漲幅竟能達到10%。

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在半導體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點的有限風險生產(chǎn),并計劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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基于強大的產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)能力,世強硬創(chuàng)可以實現(xiàn)售前商品介紹、售中交易、售后服務的全流程新產(chǎn)品新技術(shù)推廣營銷,將半導體公司的新產(chǎn)品推廣有效率提高百倍。

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北京時間10月18日消息,富士康周二表示,希望有一天能夠為特斯拉公司生產(chǎn)汽車。眼下,富士康正在加大電動汽車的制造力度,以實現(xiàn)業(yè)務多元化。

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