Intel很快便要推出其新款處理器，代號Westmere的32nm制程處理器。這款處理器在內部架構方面與現(xiàn)有的Nehalem近似。不過在制程方面 Intel則邁出了一大步，進化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技術中，他們將使用其第二代HKMG(High-k金屬門)技術。而相比之 下，其它的廠商的第一代HKMG技術都還沒有付諸實用。那么，Intel在新一輪的32nm制程競賽中的領先程度有多大呢?以下我們便為讀者進行分析。

首先，我們把Intel和其最大的對手AMD，以及另一家代工企業(yè)臺積電放在一起比較一下。需要說明的是由于臺積電只是一家代工廠商，因此我們在進行對比時，使用了臺積電為一家設計公司制作的FPGA芯片的技術發(fā)展狀況來進行比對。另外需要說明的是，由于無法得到確切的可靠數(shù)據(jù)，因此我們沒有將IBM/Common技術聯(lián)盟的制程技術發(fā)展狀況引入這次對比。

表一顯示了三家廠商開始啟用90/65/45/32nm級別制程工藝的時間點。表中可見，Intel公司總是會以兩年時間為間隔，在年初推出新的制程工藝，推出新制程的步伐與Intel元老戈登摩爾的摩爾定律非常符合。根據(jù)這種規(guī)律，我們可以預計下一代22nm制程將會于2012年初推出。

有趣的是AMD的制程發(fā)展規(guī)律也與摩爾定律相契合，他們總是會在Intel推出新制程技術的同年晚些時候推出自己的新制程技術。不過，在從45nm進化到32nm制程的過程中，AMD似乎遇到了一點麻煩，兩者的時間間隔達到了3年，當然AMD近年曾遭遇分拆GlobalFoundries的風波，所以出現(xiàn)這種延遲現(xiàn)象也是情有可原，但這次拖延依然令人們意識到向32nm級以上級別制程攀登的過程是相當艱苦的。

而臺積電的制程進化過程則相比之下缺乏一定的規(guī)律性，主要是跟隨設計方的產(chǎn)品規(guī)劃而有所變化。比如90nm制程與65nm制程之間的時間間隔達到了3年，而從65nm進化到45/40nm制程則只花了15個月的時間。同時他們還采用在45nm與32nm節(jié)點之間設立中間制程點的策略，實現(xiàn)了每年更新一次制程技術的目標。

關于摩爾定律：

根據(jù)摩爾定律，集成電路技術每經(jīng)歷一次制程更新，電路尺寸便會縮小70%。除了晶體管的門極寬度尺寸之外，其中最令人感興趣的一個關鍵尺寸便是互連線彼此之間的間距尺寸。這個尺寸決定了電路中邏輯門電路的密度以及芯片中所能容納的晶體管數(shù)量。根據(jù)我們繪制的互連線間距尺寸發(fā)展圖，三家廠商的制程技術在這方面的進展可謂不相上下，可見摩爾定律依然適用。

有趣的是，臺積電公司的互連線間距尺寸似乎要比其它兩家公司要更小一些，這大概是由于這家廠商主要面向SOC芯片，GPU/FPGA等產(chǎn)品的代工使然。盡管臺積電的制程技術制作出來的晶體管其運行速度可能不及Intel或AMD，但其芯片產(chǎn)品內部卻能集成數(shù)量超過10億支的大量晶體管。

新制程除了帶來電路關鍵尺寸的進一步縮小之外，還衍生了很多新的制程技術。其中兩項具有重大意義的新技術便是漏源極嵌入硅鍺技術 (eSiGe) 和high-k金屬門(HKMG)技術。eSiGe技術能增強PMOS晶體管的性能，而HKMG技術則有助于晶體管開關速度的提升，并可減小門極的漏電流。

上表二顯示了三家廠商啟用這兩項關鍵技術的時間表。表中可見，Intel在采用這兩項新技術方面明顯領先于其它兩家廠商，他們在2004年推出的90nm制程中便開始啟用eSiGe技術，而在45nm制程中開始使用HKMG技術;而AMD則到65nm制程時才開始使用eSiGe技術，而且需要在32nm制程中才能開始使用HKMG技術，正好比Intel落后1代;臺積電則在eSiGe/HKMG方面落后了整整兩代制程。

這里需要說明的是，由于IBM/AMD的SOI制程技術并沒有像傳統(tǒng)的體硅制程(Bulk CMOS)那樣，具有較為廣泛的流行性，因此我們在這里并不會比對各家廠商在SOI制程技術方面的發(fā)展狀況。

最后，需要說明的是，采用最好的制程技術并不一定能生產(chǎn)出最好的產(chǎn)品。過去，AMD便曾經(jīng)憑借采用較低級制程生產(chǎn)出來的，具備內置內存控制器和更短流水線設計的K8系列處理器打敗了Intel的產(chǎn)品;而Intel在顯卡，超低功耗產(chǎn)品等市場上的作為也十分有限。不過，在雙方設計能力相當?shù)臈l件下，Intel在制程工藝方面的領先無疑將幫助他們立于不敗之地。