當(dāng)前位置：首頁(yè) > EDA > 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

臺(tái)積電宣布發(fā)展20納米工藝

時(shí)間：2010-04-14 16:24:57

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 TSMC 電晶體研討會(huì)

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶及合

TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。

此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶及合作廠商代表參加，TSMC研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中表示，TSMC20納米工藝將比22納米工藝擁有更優(yōu)異的閘密度(gate density)以及芯片性價(jià)比，為先進(jìn)技術(shù)芯片的設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的工藝平臺(tái)。此外，20納米工藝預(yù)計(jì)于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。

TSMC20納米工藝系在平面電晶體結(jié)構(gòu)工藝(planar process)的基礎(chǔ)上采用強(qiáng)化的高介電值/金屬閘(high-k metal gate)、創(chuàng)新的應(yīng)變硅晶(strained silicon)與低電阻/超低介電值銅導(dǎo)線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術(shù)。同時(shí)，在其他電晶體結(jié)構(gòu)工藝方面，例如鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFet)及高遷移率(high-mobility)元件，也展現(xiàn)了刷新記錄的可行性(feasibility)指標(biāo)結(jié)果。

從技術(shù)層面來看，由于已經(jīng)具備了創(chuàng)新微影技術(shù)以及必要的布局設(shè)計(jì)能力，TSMC因此決定直接導(dǎo)入20納米工藝。

然而，蔣資深副總指出，在先進(jìn)工藝技術(shù)的開發(fā)上，我們已經(jīng)面臨一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，也就是必須主動(dòng)積極地考量其投資回報(bào)率，并且需要打破僅考慮技術(shù)層面的思維模式;我們必須通過與客戶密切合作以及在資源整合與最佳化方面的創(chuàng)新，同時(shí)解決來自技術(shù)及經(jīng)濟(jì)層面的挑戰(zhàn)。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。

換一批

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國(guó)歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

又涉侵權(quán)？美貿(mào)委會(huì)對(duì)三星、臺(tái)積電等發(fā)起337調(diào)查

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

[芯榜]

傳：達(dá)成協(xié)議！臺(tái)積電，75億美元印度建廠！

據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國(guó)家已不是什么秘密，臺(tái)積電已同意在亞利桑那州建廠，同時(shí)歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺(tái)積電洽談建廠。

關(guān)鍵字：芯片臺(tái)積電 5G設(shè)備

[芯榜]

臺(tái)積電前十大客戶曝光！

12 月 15 日消息，英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺(tái)積電，敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外，digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù)，曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字：英特爾臺(tái)積電蘋果

[芯榜]

剛剛，臺(tái)風(fēng)來襲！臺(tái)灣晶圓廠危險(xiǎn)了...

雖然說臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響，對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電聯(lián)電廠半導(dǎo)體

[嵌入式硬件]

1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺(tái)積電？

近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

關(guān)鍵字：三星臺(tái)積電芯片 1.4nm

[芯榜]

重磅！ARM將登錄A股！

創(chuàng)新企業(yè)上市可在存托憑證（CDR）和首次公開發(fā)行（IPO）二選一，國(guó)際巨頭登錄A股方式逐漸明朗化。爆料出臺(tái)積電擬登錄A股，一成股權(quán)實(shí)施CDR。雖然臺(tái)積電已明確否認(rèn)，但臺(tái)灣媒體分析仍然存在可能性。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

[芯榜]

爆料！聯(lián)發(fā)科拿到蘋果訂單！

臺(tái)媒報(bào)道稱，市場(chǎng)傳出聯(lián)發(fā)科拿下蘋果訂單，最快顯現(xiàn)的應(yīng)該是蘋果針對(duì)當(dāng)紅的智能音箱趨勢(shì)，所打造的第一款產(chǎn)品HomePod所需WiFi芯片，并以ASIC方向量身訂做，有機(jī)會(huì)成為明年第二代產(chǎn)品的供貨商。

關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電物聯(lián)網(wǎng)

[芯榜]

臺(tái)積電聯(lián)電同招千人：半導(dǎo)體人才爭(zhēng)奪大爆發(fā) 紫光中芯該如何？

臺(tái)積電近年積極擴(kuò)大投資，繼去年資本支出金額創(chuàng)下101.9億美元?dú)v史新高紀(jì)錄后，今年資本支出將持續(xù)維持100億美元左右規(guī)模。因應(yīng)產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年將招募上千名員工，增幅將與往年類似。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電資本半導(dǎo)體

[消費(fèi)電子]