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[導(dǎo)讀]Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù),這種技術(shù)能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱,這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過

Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù),這種技術(shù)能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱,這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過30:1,比目前工藝對隔離結(jié)構(gòu)的要求高出5倍左右。

這項技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專利,淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動到需要填充的各種形狀的結(jié)構(gòu)中,填充形式為自底向上,而且填充結(jié)構(gòu)中不會產(chǎn)生空隙。

Applied Materials公司還宣稱目前采用了Eterna FCVD技術(shù)的化學(xué)氣相淀積設(shè)備已經(jīng)在六家客戶公司內(nèi)開始裝機,這些客戶包括內(nèi)存,閃存以及邏輯芯片廠商。

化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層固體膜的工藝,可用來淀積各種氧化物,氮化物,多晶硅以及金屬導(dǎo)體膜。

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