摩爾定律是推動集成電路性能前進的影響力參數。在過去數十年里集成電路數量每兩年就翻一倍?，F在這個步伐已經被超越？

至少14nm制程和FinFET技術的開發(fā)商是這么看的。英特爾、IBM、東芝、三星都在采納14nm制程，并將在研發(fā)工作完成后盡快投入FinFET量產。

FinFET技術由加州大學伯克利分校的研究人員所發(fā)明，能夠帶來一些顯著的性能提升，包括能夠嚴格控制亞微米級下的短溝道效應、降低短態(tài)電流。

而且該技術能夠以單個晶體管作為多門設備。使用實驗性的閘極堆疊材料和設備架構也能顯著影響模擬設備屬性。

14nm制程本質上更便宜、更簡單，因為埋入氧化物層能夠阻止蝕刻，讓蝕刻變得非常簡單

IBM在行動

IBM已經開始轉向14nm節(jié)點、SOI（絕緣層上硅）晶圓的FinFET技術。事實上，這家公司打算在所有14nm產品上采用SOI晶圓，包括IBM內部使用的服務器處理器和對外提供的ASIC。

IBM半導體研究中心副總裁Gary Patton最近在公共平臺技術論壇解釋了SOI相對塊狀硅（bulk silicon）晶圓的優(yōu)勢，“制程復雜度得到降低，因為埋入氧化物層能夠阻止蝕刻，讓蝕刻變得非常簡單。而且14nm的成本問題也已經解決”。

從根本上說，這意味著14nm制程流程步驟的縮減已經抵消了SOI晶圓的成本。SOI的進一步優(yōu)勢是軟錯誤發(fā)生率很低。

IBM已經通過SOI技術開發(fā)出DRAM設備。該公司認為進一步將該技術用于垂直配置設備相對簡單的看法非常正確。

其它廠商

包括三星、GlobalFoundries、東芝在內的Fishkill聯盟廠商已經準備投產14nm節(jié)點的FinFET。此外，IBM還與意法微電子和Leti結盟開發(fā)平面SOI技術，以期榨干它的潛能。

相似的，研究組織Imec也開發(fā)出用于14nm邏輯芯片的早期版本制程開發(fā)包（PDK）。該PDK瞄準著一系列新技術，包括FinFET和超紫外線（EUV）光刻。

Imec及其合作伙伴正在用該PDK開發(fā)14nm測試芯片，將于今年晚些時候發(fā)布。該芯片能夠促進14nm節(jié)點內的互聯、制程、光刻元素以及電路性能。

對比其它公司“全力撲向”14nm的態(tài)度。臺積電（TSMC）雖然早已宣布計劃采用FinFET技術，但該公司并不打算在14nm節(jié)點成為主流制程以前將該技術推向客戶。

早在2002年，臺積電就演示了一種名為Omega FinFET的產品——能夠在0.7V下工作的25nm晶體管。但該產品最終未能商業(yè)化。

有理由相信這些公司轉向14nm FinFET技術的速度將超越摩爾定律最初晶體管數量每兩年翻兩倍的估算。

有小道消息稱英特爾已經試圖在未來幾年里從14nm走向8nm。是時候讓摩爾定律走入慢車道了？或許吧，唯一的疑問是到8nm將超越硅的理論運行限制。到時候會發(fā)生什么？答案是石墨。