臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰(zhàn)火將擴大延燒。中國大陸IC設計業(yè)者為搶進行動裝置市場，紛紛投入28奈米晶片開發(fā)。瞄準此一商機，臺積電與格羅方德均積極展開擴產(chǎn)，并致力強化技術支援能力，以爭取大陸IC設計業(yè)者青睞。

臺積電與格羅方德正積極搶攻中國大陸28奈米(nm)市場商機。隨著28nm晶圓量產(chǎn)技術成熟且價格日益親民，中國大陸前五大IC設計業(yè)者正相繼在新一代處理器方案導入該制程，刺激28奈米投片需求大增;因此，臺積電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)在戮力推動下一代鰭式電晶體(FinFET)制程之余，亦不斷擴充28奈米產(chǎn)能，并已分別祭出擴廠，以及與晶片商先期研發(fā)合作和保證產(chǎn)能供應的策略搶市。

28nm強勁需求撐腰　臺積電卯足全力擴產(chǎn)

臺積電在今年第二季法說會中宣布，將發(fā)動新一波擴產(chǎn)計劃，加速臺南Fab14廠五、六、七期擴建工程，以在2014?2015年加入28奈米以下制程量產(chǎn)行列;同時提出新一代超大晶圓廠(Giga-Fab)計劃，將以空橋連接所有Fab14新舊廠，全面提高量產(chǎn)效率，以因應日益增長的28奈米處理器制造需求。

臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，28奈米應用處理器在中高階行動裝置的滲透率正不斷攀升，并逐步延伸至低階產(chǎn)品應用領域，帶動28奈米制程需求持續(xù)走揚，甚至未來幾年仍將維持不錯的成長，因而激勵臺積電加碼擴產(chǎn)，以因應新客戶導入28奈米制程的需求，同時也提前布局20、16奈米FinFET制程產(chǎn)能，進而鞏固未來幾年在晶圓代工市場的領先地位。

事實上，臺積電在今年第一季法說會中就指出全年將擴產(chǎn)三倍28奈米產(chǎn)能，近期又大手筆投資臺南Fab14廠擴產(chǎn)計劃，足見其對未來28奈米以下制程市場需求極具信心。

據(jù)悉，該公司Fab14廠第五、六、七期新廠一一落成后，總占地面積將高達55萬平方公尺，并將分別于2014年2月、5月和2015年4月加入量產(chǎn)行列，并將以空橋連結所有舊廠組成「New Giga-Fab」，大幅增進臺積電在28奈米以下制程的接單、生產(chǎn)效率與成本控管能力。

現(xiàn)階段，臺積電28奈米制程已占總營收29%，成為該公司營收貢獻最高的制程節(jié)點。張忠謀進一步透露，與去年同期相比，今年上半年臺積電在中國大陸取得的訂單數(shù)量翻了一倍以上，其中即有不少新訂單來自當?shù)豂C設計業(yè)者導入28奈米制程，足見28奈米方案不僅是國際晶片大廠在中高階行動裝置市場較勁的重要武器，在中國大陸IC設計業(yè)者專攻的低階應用領域也逐漸走紅，故今年下半年28奈米出貨勢將持續(xù)攀高。

張忠謀強調(diào)，臺積電未來除將維持28奈米晶圓產(chǎn)能和性價比優(yōu)勢外，亦將領先群雄在2014年第一季正式量產(chǎn)20奈米，預估今年28奈米營收將較去年成長三倍，而20奈米亦可望于明年第二季達到7?9%的總營收占比。至于2015年初則將跨入16奈米世代，并以FinFET結構在同樣的功耗水準下，較20奈米方案提升20%以上效能，強化高階處理器制程布局。

相較于英特爾(Intel)在同一時間將今年資本支出調(diào)降10億美元，臺積電大動作擴產(chǎn)，且透露明年仍將維持與今年同樣水位的資本支出金額，已引發(fā)業(yè)界對明年28奈米產(chǎn)能將過剩的疑慮。

對此，張忠謀回應，低階行動裝置出貨成長率非常驚人，若全面轉(zhuǎn)搭28奈米處理器將引爆新一波龐大需求，不會有產(chǎn)能過剩問題，并將驅(qū)動高階產(chǎn)品加速導入20和16奈米處理器;因此臺積電搶先擴產(chǎn)的策略是走在對的道路上，從過去幾年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來看，臺積電往往早對手一步投資，才能持續(xù)坐穩(wěn)晶圓代工龍頭寶座。

看好28奈米先進制程的市場需求將持續(xù)走強，格羅方德亦致力擴充28奈米產(chǎn)能，并與臺積電不約而同加強在中國大陸晶片制造市場的布局，雙方已呈現(xiàn)劍拔弩張的局面。

沖刺28奈米市占　格羅方德拉攏陸IC商

由于全球僅少數(shù)晶圓廠可提供28奈米產(chǎn)能，且多半已先被美系IC設計大廠包下，使中國大陸應用處理器業(yè)者發(fā)展受阻;因此，格羅方德遂透過先期研發(fā)合作及保證產(chǎn)能供應等策略，積極拉攏中國大陸晶片商，并已成功取得瑞芯微等客戶的28奈米設計定案(Tape Out)。

格羅方德全球業(yè)務行銷暨設計品質(zhì)執(zhí)行副總裁Mike Noonen表示，中國大陸IC設計商近來研發(fā)能力明顯攀升，甚至第一線大廠的技術實力與美系、臺系晶片業(yè)者正快速拉近，引爆先進制程導入需求。不過，截至目前為止，28奈米制程供需仍有缺口，且中國大陸業(yè)者往往無法優(yōu)先從臺積電取得足夠產(chǎn)能，因此紛紛轉(zhuǎn)向?qū)で蟮诙獊碓?，激勵格羅方德全力投入布局。

由于中國大陸IC設計業(yè)者側重本土品牌和白牌行動裝置市場，對產(chǎn)品價格與上市速度極為要求，因此晶圓廠要搶到這塊商機大餅，就須兼具量產(chǎn)速度、成本優(yōu)勢，以及完整且靈活的技術支援。

格羅方德大中華區(qū)副總裁陳若中強調(diào)，對中國大陸晶片商而言，大多晶圓代工廠僅提供一體適用的先進制程服務，議價空間小且無法確保產(chǎn)能，將增加投資負擔與風險;因此，格羅方德已革新經(jīng)營模式，提出Foundry 2.0概念，透過早期研發(fā)合作及彈性調(diào)整的制程平臺，滿足中國大陸IC設計特殊需求，以拉攏更多客戶。

近期中國大陸前五大晶片商之一的瑞芯微，即從臺積電(40奈米合作)轉(zhuǎn)而與格羅方德合作，采用該公司28奈米高介電金屬閘極(HKMG)制程，部署新一代多核心平板處理器。

陳若中進一步透露，格羅方德與瑞芯微的合作計劃早在2011年就已啟動，系該公司正努力轉(zhuǎn)型的Foundry 2.0經(jīng)營模式最佳印證;目前格羅方德在該地區(qū)也還有幾個先進制程合作案正在推動，未來可望為該公司的28奈米產(chǎn)線帶來更多營收。

Noonen則強調(diào)，F(xiàn)oundry 2.0經(jīng)營模式可兼容整合元件制造商(IDM)和純晶圓代工業(yè)者的優(yōu)點，同時能與IC設計商在晶片開發(fā)初期即緊密配合，達成各種客制化功能要求，尤其對亟須先進制程技術和產(chǎn)能支援的中國大陸晶片商而言，此一生產(chǎn)計劃將是減輕投資風險，并快速升級處理器規(guī)格的捷徑，預期會有更多業(yè)者采納，有助格羅方德持續(xù)擴張在中國大陸晶圓代工市場的占有率。

陳若中補充，華為、中興和聯(lián)想等中國大陸品牌正以驚人的速度崛起，加上當?shù)?strong>晶片商在白牌行動裝置市場已打下厚實基礎，預估2013?2016年將成為晶圓代工出貨增長最大動力來源(圖3)，而該區(qū)域市場晶圓出貨片數(shù)也將翻漲一倍，且產(chǎn)值年復合成長率(CAGR)將達到兩位數(shù)的高成長表現(xiàn)。

除積極爭搶中國大陸28奈米市占外，格羅方德和臺積電亦已展開下一階段的技術競賽，雙方將一前一后于2014~2015年啟動14或16奈米FinFET制程量產(chǎn)，屆時可望引爆更激烈的先進制程市場爭奪戰(zhàn)。