聯華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性內存(NVM)硅智財領導廠商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性內存硅智財將于聯華電子兩個28奈米先進制程平臺上使用，分別為：適用于生產可攜式裝置產品系統(tǒng)單芯片的高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產品系統(tǒng)單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

聯華電子28奈米制程的芯片閘極密度為40奈米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/ SiON) 制程，與業(yè)界其它28奈米多晶硅(Poly /SiON) 制程相比，具備了更優(yōu)異的效能及功耗上的提升。為配合系統(tǒng)單芯片設計公司不同的電源需求，此制程提供了多個電壓選項：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項、內存儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設計公司大幅提高產品整體效能和電池續(xù)航力。

聯華電子客戶工程暨硅智財研發(fā)設計支持副總簡山杰表示：「聯華電子不斷致力于先進技術開發(fā)和及時的產能導入，以充分滿足客戶的需求。為了確保我們客戶在28奈米制程上，不僅可以采用聯華電子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智財，也能獲取最佳第三方廠商之非揮發(fā)性內存硅智財，聯華電子十分樂意與Kilopass公司持續(xù)合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發(fā)性內存(anti-fuse NVM)硅智財產品，能夠在我們28奈米制程平臺上提供給客戶采用?！?/p>

Kilopass公司董事長暨執(zhí)行長Charlie Cheng表示：「對于Kilopass與聯華電子進行中的策略合作，我們感到非常高興。在聯華電子28奈米先進制程平臺上使用我們非揮發(fā)性內存(NVM) 硅智財產品，為兩家公司創(chuàng)造了雙贏。對于聯華電子來說，將可在其先進制程平臺上，為客戶提供更廣泛的硅智財產品組合;對于Kilopass而言，則可將業(yè)務范圍拓展到聯華電子28奈米制程市占率日益提升的行動設備與消費性電子系統(tǒng)單芯片之產品市場?！?/p>