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[導(dǎo)讀]斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小,以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。碳納米管(CNT),鍺化硅(SiGe),砷化物(GaAs)都是可能的替代品

斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小,以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。碳納米管(CNT),鍺化硅(SiGe),砷化物(GaAs)都是可能的替代品。碳纖維納米管具有良好的傳導(dǎo)性,體積小,并且能在剎那間開(kāi)關(guān)。它擁有比肩石墨烯的電氣屬性,但是制造半導(dǎo)體的難度卻小很多。這也是為什么短期內(nèi)大家更看好碳納米管,而非石墨烯。

至今為止,生產(chǎn)純度仍然是制造的瓶頸。碳納米管有幾個(gè)不同的結(jié)構(gòu)形態(tài),它們可能是金屬屬性或者為半導(dǎo)體;我們?nèi)詻](méi)掌握制造100%純度CNT半導(dǎo)體的技 術(shù)。研究者只希望得到半導(dǎo)體,因?yàn)榻饘俚奶技{米管會(huì)導(dǎo)致晶體管行為異常,甚至燒毀。碳納米管傾向于糾纏在一起,這會(huì)導(dǎo)致無(wú)法預(yù)測(cè)的電氣學(xué)行為。

與其在探究如何制造純凈的半導(dǎo)體CNT上撞破南墻,不如迫使碳納米管整齊的排列起來(lái)。斯坦福大學(xué)研究者二者取其巧,他們制造一種對(duì)錯(cuò)誤有容忍度的、非完美 的CNT。不幸的是,我們暫時(shí)還沒(méi)法得到詳細(xì)資料。據(jù)推測(cè),他們有可能提高了系統(tǒng)冗余。芯片擁有44個(gè)CNT晶體管,并在圣弗蘭西斯科的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 上向大家展示。

碳納米晶體管對(duì)錯(cuò)誤的容忍度成為它的亮點(diǎn)。因?yàn)殡S著工藝向微觀發(fā)展,硅基晶體管對(duì)錯(cuò)誤的容忍度會(huì)更加小。如果有一天,工藝從今天的二十納米進(jìn)步到5納米,還有多少空間讓大家犯錯(cuò)呢?(導(dǎo)致廢品率上升)CNT的錯(cuò)誤容忍屬性對(duì)芯片的發(fā)展是件好事,世界上沒(méi)有絕對(duì)完美的材料。

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