瑞薩電子(Renesas)開發(fā)全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術。該技術可達更快的讀取與覆寫速度，且針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。

新技術利用記憶體單元電流的溫度依存性與周邊電晶體的可靠性是逆相關的事實，在字線增速電壓中加入負向的溫度依存性，使周邊電晶體的可靠性使用壽命提升十倍，并使隨機讀取速度從160增加至200MHz，可同時實現(xiàn)高速讀取作業(yè)與高可靠性的技術;此外，該技術可藉監(jiān)控抹除速度并控制抹除作業(yè)，使最大抹除電壓在高速抹除時可受到抑制，以減輕層間介電質的抹除電壓應力。

另外，新技術可藉將負反向偏壓附加至記憶體單元，以降低寫入脈沖持續(xù)時間，并可平行寫入多個快閃記憶體巨集，提升寫入速度，因此可達每秒2.0MB的寫入速度;由于預期未來eFlash記憶體覆寫周期計數(shù)將增加，如因OTA(空中安全下載)程式更新等，須將電源供應雜訊與EMI在覆寫作業(yè)時，對系統(tǒng)運作的影響降至最低，該技術采用展頻時脈產生(SSCG)做為產生快閃記憶體覆寫作業(yè)之高電壓的充電泵的驅動時脈，以可降低電源供應雜訊與電磁干擾(EMI)。