聯(lián)電(UMC)日前宣布，與 ARM合作、基于聯(lián)電14奈米FinFET制程生產(chǎn)的PQV測(cè)試晶片已經(jīng)投片(tape out)，代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯(lián)電高階晶圓制程驗(yàn)證;同時(shí)聯(lián)電也宣布與新思科技(Synopsys) 拓展合作關(guān)系，于聯(lián)電14奈米第二個(gè)PQV測(cè)試晶片上納入新思DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統(tǒng)測(cè)試與修復(fù)解決方案。

與ARM的14奈米合作案延續(xù)自雙方成功將ARM Artisan 實(shí)體 IP整合至聯(lián)電28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產(chǎn)制程。而聯(lián)電14奈米FinFET制程技術(shù)驗(yàn)證，是聯(lián)電FinFET制程啟動(dòng)其他IP生態(tài)系統(tǒng)的第一步，包括基礎(chǔ)IP 矽智財(cái)(foundation IP)和ARM處理器實(shí)體設(shè)計(jì)。

ARM實(shí)體IP設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理Will Abbey表示：“ARM和聯(lián)電已在數(shù)個(gè)技術(shù)世代上持續(xù)合作，且成果卓越。采用聯(lián)電14奈米FinFET制程的Cortex-A系列核心測(cè)試晶片正式設(shè)計(jì)定案，對(duì)我們來說十分振奮。ARM與聯(lián)電將針對(duì)此高階制程技術(shù)的研發(fā)持續(xù)保持緊密合作。”

此外聯(lián)電與新思合作開發(fā)的第二個(gè)14奈米PQV，提供了更多矽資料，可讓聯(lián)電進(jìn)一步微調(diào)其14奈米FinFET制程以實(shí)現(xiàn)最佳化的功耗，效能與位面積表現(xiàn)。雙方已成功設(shè)計(jì)定案了第一個(gè)聯(lián)電14奈米FinFET制程PQV，包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool)，而此次PQV則繼續(xù)拓展夥伴關(guān)系。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出：“新思科技與聯(lián)電擴(kuò)展的合作關(guān)系展現(xiàn)了雙方共同的目標(biāo)，也就是協(xié)助晶片設(shè)計(jì)公司在聯(lián)電制程上，將我們的DesignWare矽智財(cái)結(jié)合到其系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)上?，F(xiàn)已有超過45顆FinFET測(cè)試晶片設(shè)計(jì)定案(tapeout)，新思科技將持續(xù)傾全力致力于為FinFET制程提供高品質(zhì)矽智財(cái)，使晶片設(shè)計(jì)公司能夠降低整合風(fēng)險(xiǎn)，并加速量產(chǎn)時(shí)程。”

聯(lián)電表示，該公司14奈米FinFET制程已經(jīng)展現(xiàn)卓越的128mb SRAM產(chǎn)品良率，并預(yù)計(jì)于2015年底接受客戶投片。