紫光旗下同方國芯提出私募800億元人民幣的增資案，用于Flash產(chǎn)業(yè)，而同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模6成，可看出推動Flash產(chǎn)業(yè)是高度資本集中。TrendForce旗下拓墣研究所相關報告將檢視中國Flash產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀(特別著重在Flash晶片制造業(yè))的發(fā)展和機會。其中，小編在此為各位分享中國主要Flash晶圓制造商的現(xiàn)狀。

(一)、武漢新芯

1. 產(chǎn)能狀況

武漢新芯為專業(yè)Foundry廠商，主要生產(chǎn)NOR Flash和BSI CIS等技術，12寸晶圓月產(chǎn)能2.2萬片;2014年NOR Flash和BSI產(chǎn)能規(guī)劃各為每月1萬片和1.2萬片，目前月產(chǎn)能配置仍維持在2.2萬片，在產(chǎn)品上更多Low Power Logic和NAND Flash。

2. 人力與研發(fā)支援

武漢新芯在研發(fā)團隊的創(chuàng)新力和執(zhí)行力，得益于長期與中科院微電子研究所展開緊密的合作，在3D NAND項目，雙方採用創(chuàng)新合作模式，即將雙方專家在研發(fā)專案和人力資源的管理上，透過企業(yè)平臺合為一體，此模式將中科院微電子所深厚的理論背景，與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經(jīng)驗有機會相結合。

3. 國際合作與進展

在2014年中，武漢新芯成功將NAND技術由55nm推向32nm(與Spansion合作)，至2014年底，武漢新芯與記憶體領域的世界級研發(fā)團隊Spansion(已併入Cypress)組建聯(lián)合研發(fā)團隊，開始3D NAND專案的研發(fā)工作。2015年5月11日武漢新芯宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性進展，第一個存儲測試晶片通過記憶體功能的電學驗證，雖目前并未有相關細節(jié)流出，但此合作案目標將是在2017年量產(chǎn)出規(guī)格為32層之堆疊4x nm的3D NAND。

(二)、中芯國際

中芯國際為全球第五大，也是中國第一大的晶圓制造廠商，主要是以邏輯IC的代工業(yè)務為主，雖在2013年退出武漢新芯的經(jīng)營，但在Flash業(yè)務上仍未缺席。

2014年以前，中芯國際已開發(fā)出一系列從130nm到65nm特殊NOR Flash的記憶體生產(chǎn)平臺，2014年9月10日更是宣布38nm NAND Flash記憶體工藝制程已準備就緒。

雖然由中芯國際公開的營收資訊中可看出38nm NAND Flash自推出至今，未在營收上嶄露頭角;然而中芯表示，此技術突破，說明中芯在技術多元化方面取得重要進展，也為后續(xù)開發(fā)更先進2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定穩(wěn)固基礎，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，但近期中國極力想突破記憶體自制缺口，此技術讓中芯在未來可能進一步強化在NAND Flash記憶體的制造能力。

(三)、紫光集團：同方國芯定增

如上所述，同方國芯的大規(guī)模定增將投入到Flash的研發(fā)和制造。

紫光集團在此規(guī)劃項目上，不如武漢新芯或中芯國際有較完整的技術累積，所以主要是透過資本和供應鏈協(xié)同方式進行操作。

以中國內部和資金的角度而言，有機會取得領先(此次投入計劃約在180億美元，相對中芯國際2015年Capex約在15億美元和2016年預計21億美元而言，是相當龐大)，是紫光主要優(yōu)勢，但風險在沒有技術支援下，如何讓技術、量產(chǎn)能力能與資金同時到位，順利轉量產(chǎn)。

相對國際一線大廠Samsung(2015年Capex約在135億美元和2016年預計115億美元)，此2年180億美元假話，仍落后于Samsung 2年投入，如何確保紫光相關投入能達到與一線大廠投入相同的效果，將是投資要成功的最大困難點，在無既有營運支持下，當生產(chǎn)能力無法順利到位，如何有資金維繫工廠月產(chǎn)能12萬片的營運與研發(fā)將是問題，紫光如何突破生產(chǎn)技術的取得和授權，將是整個投資最關鍵的環(huán)節(jié)。

(四)、外資晶圓制造企業(yè)在中國：Samsung與Intel

1. Samsung西安Flash工廠產(chǎn)能拉高至每月產(chǎn)出10萬片

目前以Samsung在中國的投資最為領先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過50億美元，產(chǎn)能建置來到每月8萬片，Samsung于西安佈建最先進的3D NAND Flash制程，預計2016年底將產(chǎn)能進一步拉升至每月10萬片。

2. Intel大連廠轉為3D NAND Flash廠

Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產(chǎn)線的大連廠，改建為月產(chǎn)能3萬片的3D NAND Flash廠，預計2016年先投入15億美元，到2016第四季開始投片生產(chǎn)，月產(chǎn)能估計達1萬片。

Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預估至2016年第四季將達到每月11萬片，約佔全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產(chǎn)出納入考慮，加上中國廠商的進展，則Made in China的NAND位元數(shù)在2017年全球佔比有機會達到10%。

(五)、TRI觀點

武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項目研發(fā)取得突破性進展，是中國在NAND Flash產(chǎn)業(yè)進展最快的廠商。

中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術仍為后續(xù)開發(fā)更先進的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎。

紫光集團在Flash相關競爭中，資金是主要優(yōu)勢，但在沒有既有營運的支持下，如何突破生產(chǎn)技術的取得和授權，會是整個投資最關鍵環(huán)節(jié)。

國際投資方面，Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預估至2016年第四季將達每月11萬片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間，以及國際半導體大廠在中國的投資，則為中國發(fā)展NAND Flash制造產(chǎn)業(yè)提供切入機會。