三星周二(9月4日)在日本舉行“三星晶圓代工論壇2018日本會議”(Samsung Foundry Forum)，簡稱SFF Japan 2018。這是三星第二次在日本舉行代工會議，日本PCwatch網(wǎng)站介紹了三星這次會議的主要內(nèi)容，三星的口號是“最受信任的代工廠”，并公布了三星在晶圓代工上最新的3納米工藝技術(shù)路圖，以及7納米投產(chǎn)進度，將搶攻高端計算與聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場。

三星高管在這次會議上表示，三星7納米是第一個采用FinFET EUV技術(shù)的半導體工藝，將于2018年晚些時候推出。這點沒錯，臺積電要到第二代7納米工藝N7+上才會使用EUV工藝，但是三星比較激進，7納米節(jié)點上會直接上7納米EUV工藝，未來的5/4/3納米節(jié)點也會全面使用EUV工藝。

據(jù)三星表示，關(guān)鍵知識產(chǎn)權(quán)(IP)已在開發(fā)，將于2019年上半年完成。而8納米LPU工藝也會開始風險試產(chǎn)，2019年則會推出5/4納米 FinFET EUV工藝，同時開始18納米FD-SOI工藝的風險試產(chǎn)，后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。

根據(jù)三星的說法，他們在韓國華城的S3 Line生產(chǎn)線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機，這條生產(chǎn)線原本是用于10納米工藝的，現(xiàn)在已經(jīng)被改造，據(jù)說現(xiàn)在的EUV產(chǎn)能已經(jīng)達到了大規(guī)模生產(chǎn)的標準。

此外，三星還在S3生產(chǎn)線之外建設(shè)全新的生產(chǎn)線，這是EUV工藝專用的，計劃在2019年底全面完成，EUV的全面量產(chǎn)計劃在2020年完成。

2020年三星則會推出3納米EUV工藝，三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇(E.S. Jung)表示，3納米工藝晶體管架構(gòu)將首度由FinFET變成閘極全環(huán)(GAA，Gate-All-Around)，GAA公認為7納米節(jié)點之后取代FinFET晶體管的新一代技術(shù)候選，并將配合極紫外光(EUV)微影設(shè)備，來克服物理限制。

對三星來說，他們的7納米客戶都有誰至關(guān)重要，特別是在臺積電搶下絕大多數(shù)7納米訂單的情況下，不過臺積電7納米產(chǎn)能不可能包攬所有訂單，三星依然有機會搶得客戶。

有趣的是，三星在會上表示其7納米將應用在網(wǎng)絡(luò)、汽車領(lǐng)域，而非效能要求較高的圖像處理器(GPU)，意謂著三星7納米技術(shù)似乎未能獲得Nvidia與AMD青睞。AMD日前已宣布下一代Zen 2中央處理器與Navi圖像處理器，都將交予臺積電以7納米工藝代工。 耗費巨資的7納米如果只能拿來小打小鬧，意義也就不大了。

下面是三星在封裝測試方面的路線圖了，目前三星已經(jīng)可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝，明年則會推出3D SiP系統(tǒng)級封裝，其中I-Cube封裝已經(jīng)可以實現(xiàn)4路HBM 2顯存堆棧了。