SK海力士26日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。

source: SK Hynix

這款128層的1Tb NAND閃存芯片實現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個NAND單元，每個單元在一個芯片上存儲3位。為了實現(xiàn)此工藝，SK海力士在自家的4D NAND技術(shù)上應(yīng)用了大量創(chuàng)新技術(shù)，包括“超均勻垂直蝕刻技術(shù)”、“高可靠性多層薄膜細(xì)胞形成技術(shù)”和超快速低功耗電路設(shè)計等。

新產(chǎn)品實現(xiàn)了TLC NAND閃存業(yè)界最高的1Tb密度。許多存儲器公司已經(jīng)開發(fā)了1Tb QLC NAND產(chǎn)品，但SK 海力士是第一個將1Tb TLC NAND商業(yè)化的。TLC在NAND市場中占有85%以上的份額，具有良好的性能和可靠性。

SK海力士的4D NAND最大的優(yōu)勢是芯片尺寸小，這使得超高密度NAND閃存得以實現(xiàn)。此前，該公司在2018年10月宣布了創(chuàng)新的4D NAND，是一款結(jié)合了3D CTF (電荷陷式Flash) 設(shè)計與PUC (Peri Under Cell) 技術(shù)的產(chǎn)品。

在相同的4D平臺和工藝優(yōu)化下，SK海力士在現(xiàn)有96層NAND的基礎(chǔ)上又增加了32層，使制造工藝總數(shù)減少了5%。與以往技術(shù)遷移相比，96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。

相較于SK 海力士的96層4D NAND，新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產(chǎn)能提高40%。SK海力士將從今年下半年開始發(fā)貨128層4D NAND閃存，同時繼續(xù)推出各種解決方案。

由于該產(chǎn)品采了單芯片四平面架構(gòu)，數(shù)據(jù)傳輸速率在1.2V時可以達(dá)到1400mbps，可以支持高性能、低功耗的移動解決方案以及企業(yè)SSD。

SK海力士計劃明年上半年為主要旗艦智能手機客戶開發(fā)下一代UFS 3.1產(chǎn)品。憑借128層1Tb NAND閃存，相較于512Gb NAND，1Tb產(chǎn)品所需的NAND數(shù)量將減少一半。海力士也將為客戶提供一個能在1毫米薄的封裝中，功耗降低20%的移動解決方案。

此外，公司計劃于明年上半年開始量產(chǎn)一款2TB的客戶端SSD，帶有內(nèi)部控制器及軟件。16TB和32TB用于云數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD也將于明年發(fā)布。

“SK海力士憑借這款128層4D NAND芯片，確保了其NAND業(yè)務(wù)的基本競爭力，”海力士執(zhí)行副總裁兼全球營銷主管Jong Hoon Oh表示，“憑借這款產(chǎn)品以及業(yè)界最上乘的堆積與密度，我們將在合適時間為客戶提供多種解決方案。”