據(jù)半導體國際網站報道,日前一個關于極紫外(EUV)光刻光源開發(fā)的新聯(lián)盟在日本啟動,這是繼EUV曝光技術開發(fā)完成后,日本極紫外光刻系統(tǒng)開發(fā)協(xié)會(ExtremeUltravioletLithographySystemDevelopmentAssociation,EUVA,日本川崎)的又一動作,該項目是在2008年3月達成決議的。5月,該協(xié)會舉行了最后的討論會,報告EUV光源開發(fā)成果。報告結果主要展示了采用激光等離子體技術(LPP)的中間聚焦點為60W的EUV光源,和采用放電等離子體技術(DPP)的中間聚焦點為20W的EUV光源。之前在3月份結束的這個項目獲得了日本經濟貿易產業(yè)?。∕inistryofEconomy,TradeandIndustry,METI)的支持,為期5年,總金額達到1.25億美元。
然而,EUV光源開發(fā)的成果尚不能商業(yè)化,光源靶極設定值超過了115W,可滿足300mm晶圓100wph的量產需求。這個新聯(lián)盟包括EUV光源開發(fā)商UsioInc.(Tokyo)和KomatsuLtd.(Tokyo),EUV設備制造商Nikon和Canon,并與METI的下屬機構新能源和技術開發(fā)組織(NewEnergyandIndustrialTechnologyDevelopmentOrganization,NEDO)簽訂了為期2年的合同。合同幫助新聯(lián)盟使用之前EUVA項目的工具設施。
在開發(fā)EUV光源上最大的挑戰(zhàn)在于,如何在等離子氣氛中為濺射墻控制碎片、灰塵或污染物。如果沒有碎片控制,光源會很快惡化。阻止污染物進入透鏡和光掩膜,對EUV光源的正常工作也是必不可少的。
在向NEDO提交的一項申請中,EUVA提出了新的關于EUV光源清洗技術的建議,它包括32nm節(jié)點EUV光源的掩膜和透鏡污染評估技術,以及聚焦束系統(tǒng)的清洗技術。新建議預計于5月底被接納。EUVA希望今年能啟動一個為期3年的新合同計劃。
Nikon、Canon和ASML公司目前都在為R&D研發(fā)中心提供alpha樣機,但對于32nm及更高節(jié)點的量產來說,EUV光源的能量仍是個問題。更高能量的EUV光源仍在期待中。
編輯: 荒原
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