國標(biāo)委公布23項(xiàng)LED相關(guān)擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)
時(shí)間：2011-08-10 00:33:34
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LED
熒光粉
標(biāo)準(zhǔn)化管理
測(cè)試方法
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[導(dǎo)讀]7月29日，國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)決定對(duì)2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目公開征求意見。征求意見截止時(shí)間為2011年8月29日。
此次國標(biāo)委公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目中，包括led相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)23項(xiàng)，涉及外延芯片、封
7月29日，國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)決定對(duì)2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目公開征求意見。征求意見截止時(shí)間為2011年8月29日。
此次國標(biāo)委公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目中，包括led相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)23項(xiàng)，涉及外延芯片、封裝及照明應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)。一旦這些國標(biāo)順利實(shí)施，將對(duì)規(guī)范半導(dǎo)體照明市場(chǎng)、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)健康、快速發(fā)展，起到積極作用。
表1 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目
| 項(xiàng)目名稱 | 完成時(shí)間 | 主管部門 | 歸口單位 | 起草單位 | 范圍和主要技術(shù)內(nèi)容 |
| Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測(cè)試方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用高分辨X射線衍射對(duì)III氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量. |
| Ⅲ族氮化物外延片晶格參數(shù)測(cè)試方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用高分辨X射線衍射對(duì)III氮化物外延片晶格常數(shù)進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量. |
| LED發(fā)光用氮化鎵 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | 本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管用氮化鎵材外延材料的技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則和檢驗(yàn)方法.完成本研究項(xiàng)目后,我們將提交的技術(shù)文件包括:LED用外延片材料物理性能數(shù)據(jù)庫；LED用氮化物外延片測(cè)試方法；LED發(fā)光用氮化物材料性能規(guī)范. |
| LED外延芯片用磷化鎵襯底規(guī)范 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用磷化鎵襯底的分類、技術(shù)要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求；位錯(cuò)密度要求；晶向；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存. |
| LED外延芯片用砷化鎵襯底規(guī)范 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、國瑞、協(xié)鑫硅材料等 | 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵襯底的分類、技術(shù)要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求；位錯(cuò)密度要求；晶向；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存. |
| 氮化鎵外延片及襯底片 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 上海藍(lán)光科技有限公司、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了氮化鎵外延片及襯底的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容.本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用金屬有機(jī)氣相外延方法得到的的N型氮化鎵外延片和P型氮化鎵外延片及采用氫化物氣相外延得到的氮化鎵襯底片.產(chǎn)品主要用于制作氮化鎵半導(dǎo)體器件,其他類型的氮化鎵外延片可參照?qǐng)?zhí)行.詳細(xì)內(nèi)容見附件. |
| 氮化物LED外延片內(nèi)量子效率測(cè)試方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | 適用于氮化物半導(dǎo)體LED外延材料的內(nèi)量子效率檢測(cè). 通過測(cè)量低溫(10K)和室溫下的PL發(fā)光積分強(qiáng)度確定外延片的內(nèi)量子效率.確定測(cè)試的條件要求和設(shè)備系統(tǒng)的技術(shù)要求. |
| 藍(lán)寶石襯底片厚度及厚度變化測(cè)試方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長(zhǎng)、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測(cè)定方法 |
| 藍(lán)寶石單晶襯底拋光片規(guī)范 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | [!--empirenews.page--]協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長(zhǎng)、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確2inch、4inch、6inch藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測(cè)定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標(biāo)準(zhǔn)、包裝、標(biāo)示等 |
| 藍(lán)寶石單晶晶錠 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長(zhǎng)、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶?,明確定?藍(lán)寶石晶?的幾何參數(shù)測(cè)定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標(biāo)準(zhǔn)、包裝、標(biāo)示等 |
| 藍(lán)寶石晶錠應(yīng)力測(cè)試方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長(zhǎng)、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測(cè)定方法 |
| 碳化硅單晶拋光片 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所 | 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等.本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片,產(chǎn)品規(guī)格為2英寸至4英寸的導(dǎo)電型和半絕緣性碳化硅單晶拋光片.本標(biāo)準(zhǔn)參照SEMI M55.1-0304及國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn),對(duì)碳化硅襯底材料的外形尺寸、表面幾何參數(shù)、晶面取向、晶片表面缺陷限度、微管密度、結(jié)晶質(zhì)量和電阻率等主要技術(shù)指標(biāo)都進(jìn)行了要求,并規(guī)定了各種缺陷的定義及檢測(cè)方法,適用于全國從事碳化硅晶片及其相關(guān)行業(yè)的所有企業(yè)和機(jī)構(gòu). |
| 碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所 | 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的微管和微管密度的定義、方法提要、一般要求、測(cè)試程序、分析結(jié)果的計(jì)算、精密度、質(zhì)量保證和控制及檢測(cè)報(bào)告等.本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片、微管的徑向尺寸在幾微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測(cè)量.樣品表面法線方向?yàn)?lt;0001>方向,且其偏離角不應(yīng)大于±8°.該方法使用正交偏光顯微鏡的透射光模式, 利用入射光線在微管周圍處的折射系數(shù)差異來確定微管,從而計(jì)算出相應(yīng)的微管密度. |
| LED用稀土氮化物紅色熒光粉 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 有研稀土新材料股份有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于發(fā)光二極管用氮化物紅色熒光粉,可用于顯示、背光源或一般照明.主要技術(shù)內(nèi)容包括,LED用氮化物紅色熒光粉相關(guān)的名詞術(shù)語及其定義、熒光粉的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等內(nèi)容. |
| LED用稀土硅酸鹽熒光粉 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 | 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉標(biāo)準(zhǔn)以及相關(guān)檢測(cè)試驗(yàn)方法:相對(duì)亮度、激發(fā)發(fā)射光譜性能、色品坐標(biāo)等. |
| LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗(yàn)方法 第1部分:相對(duì)亮度的測(cè)定 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 | 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的相對(duì)亮度試驗(yàn)方法:包括激發(fā)光源、樣品盤的選擇及分析方法的建立 |
| LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗(yàn)方法 第2部分:光譜性能的測(cè)定 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 | 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的光譜性能試驗(yàn):包括激發(fā)光譜、發(fā)射光譜曲線的建立 |
| LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗(yàn)方法 第3部分:色品坐標(biāo)的測(cè)定 | [!--empirenews.page--]2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 | 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的色品坐標(biāo)試驗(yàn),確定其在CIE色品圖中的具體位置及其發(fā)光顏色. |
| LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗(yàn)方法 第4部分:熱穩(wěn)定性的測(cè)定 | 2012 | 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) | 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 | 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的熱穩(wěn)定性能試驗(yàn),包括激發(fā)光譜、發(fā)射光譜曲線的建立. |
| led筒燈 性能測(cè)試方法 | 2011 | 中國輕工業(yè)聯(lián)合會(huì) | 全國照明電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 上海時(shí)代之光照明電器檢測(cè)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于220V50Hz供電的各類LED筒燈的性能參數(shù)的測(cè)試方法，其中包括常規(guī)電性能、總光通量、光效、配光曲線、光束角、顯色性、壽命試驗(yàn)方法和電磁兼容性能等測(cè)試方法，以及眩光、工作面等照度分布曲線的表征和測(cè)試方法. |
| LED筒燈 性能要求 | 2011 | 中國輕工業(yè)聯(lián)合會(huì) | 全國照明電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 上海時(shí)代之光照明電器檢測(cè)有限公司 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電壓220VAC50Hz；整體式LED筒燈，或自帶驅(qū)動(dòng)裝置LED筒燈，或驅(qū)動(dòng)裝置分離式LED筒燈.主要技術(shù)內(nèi)容包括產(chǎn)品的規(guī)格分類、初始光通量初始光效和光通維持率等基本光學(xué)性能指標(biāo)，電氣等安全要求及無線電騷擾特性等. |
| 反射型自鎮(zhèn)流LED燈 性能測(cè)試方法 | 2011 | 中國輕工業(yè)聯(lián)合會(huì) | 全國照明電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 國家電光源質(zhì)量檢驗(yàn)中心（北京）、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于220V50Hz供電的各類反射型自鎮(zhèn)流LED照明產(chǎn)品的性能參數(shù)的測(cè)試方法，其中包括常規(guī)電性能、總光通量、光效、配光曲線、光束角、顯色性、壽命試驗(yàn)方法和電磁兼容性能等測(cè)試方法，以及光生物危害、工作面等照度分布曲線的表征和測(cè)試方法. |
| 反射型自鎮(zhèn)流LED燈 性能要求 | 2011 | 中國輕工業(yè)聯(lián)合會(huì) | 全國照明電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) | 國家電光源質(zhì)量檢驗(yàn)中心（北京）、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心 | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電壓220VAC50Hz，燈頭符合E14、E27，產(chǎn)品類型類似于MR16, PAR20, PAR30, PAR38.本標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)反射型自鎮(zhèn)流LED照明產(chǎn)品，規(guī)定了MR和PAR系列LED照明產(chǎn)品的技術(shù)要求，其中包括產(chǎn)品的規(guī)格分類、初始光通量、初始光效和光通維持率等基本光學(xué)性能指標(biāo)，電氣等安全要求及無線電騷擾特性等. |
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