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[導(dǎo)讀]工研院所舉辦的「2011科技發(fā)展趨勢研討會(huì)」今日正式登場,工研院(IEK)資深產(chǎn)業(yè)分析師彭國柱表示,韓國三星經(jīng)過二個(gè)季度調(diào)整之后,快速拉升市占率,已突破2009年的市占高點(diǎn),也掀起新一波的爭奪戰(zhàn),在三星壓倒性的勝利

工研院所舉辦的「2011科技發(fā)展趨勢研討會(huì)」今日正式登場,工研院(IEK)資深產(chǎn)業(yè)分析師彭國柱表示,韓國三星經(jīng)過二個(gè)季度調(diào)整之后,快速拉升市占率,已突破2009年的市占高點(diǎn),也掀起新一波的爭奪戰(zhàn),在三星壓倒性的勝利下,臺(tái)系DRAM產(chǎn)業(yè)在明年恐將再度陷入負(fù)向循環(huán)。

彭國柱表示,從資本支出的角度來看,前十五大資本支出的公司,有7家為記憶體公司,而資本支出的前三大公司,包括三星、臺(tái)積電(2330)以及英特爾,這三家就占了今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出的4成之多。尤其是三星宣布今年的資本支出提高至26兆韓圜時(shí),更是震驚業(yè)界。

分析三星今年的26兆韓圜的資本支出,半導(dǎo)體部分的廠房設(shè)備資金達(dá)11兆韓圜,其中有9兆用于DRAM事業(yè),包括新建Line-16的12寸晶圓廠,預(yù)計(jì)明年下半年正式完工投產(chǎn),月產(chǎn)能規(guī)模達(dá)20萬片。另外,還包括Line -15的30奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn),生產(chǎn)DDR3 2Gb,Line-10轉(zhuǎn)為12寸。其馀的2兆韓圜則是用于晶圓代工、邏輯IC制程提升等。

彭國柱指出,三星自2007年第二季以來,市占率就逐漸回升,到了2008年第四季已達(dá)到31.1%,重新回到三成以上,并且在2009年第二季突破35%,經(jīng)過二個(gè)季度調(diào)整后,已經(jīng)來到40%的市占率,取得主導(dǎo)性地位。

反觀臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整體市占率則從2006年第三季之后,呈現(xiàn)強(qiáng)弩之末,2008年第四季進(jìn)一步下滑,2009年第一季雖然緩步回升,但未來受到制程導(dǎo)入與機(jī)臺(tái)安裝速度不如南韓大廠,將使?fàn)I運(yùn)面臨激烈的挑戰(zhàn)。

彭國柱表示,記憶體產(chǎn)業(yè)2008年出現(xiàn)世代交替,全面進(jìn)入12寸廠的擴(kuò)充,并且將8寸廠除役,整個(gè)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)過完12寸晶圓廠世代交替的過程,在制程導(dǎo)入上,6X奈米之后的制程世代導(dǎo)入速度明顯加快,可以看出,三星在4X奈米進(jìn)程上遙遙領(lǐng)先,使得在這一波成本競爭中處于相對(duì)有利位置。

臺(tái)灣DRAM公司受到技術(shù)母公司新制程開發(fā)進(jìn)程影響較大,唯有取得足夠資金,以及加快拉升新制程出貨比重才能面對(duì)激烈的成本競爭壓力。

從設(shè)備的角度來看,ASML的1950G/Hi為跨入5X奈米以下的必備機(jī)臺(tái),也是評(píng)估廠商未來5X奈米以下出貨比重的重要指標(biāo)。統(tǒng)計(jì)到今年為止,三星擁有30臺(tái),規(guī)模最為龐大,其次為海力士21臺(tái)、美光陣營(包括南科(2408)、華亞科(3474))15臺(tái)、爾必達(dá)陣營(包括瑞晶(4932)、力晶(5346))13臺(tái)。

整體而言,彭國柱認(rèn)為,三星不論是制程技術(shù)、先進(jìn)機(jī)臺(tái)數(shù)量雙重領(lǐng)先優(yōu)勢下,將發(fā)動(dòng)新一波的市占攻防戰(zhàn),原本今年,已經(jīng)有部分臺(tái)灣DRAM廠商已開始回至正向循環(huán),但是在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值在第二季爬到高點(diǎn),達(dá)到576億元新臺(tái)幣,之后就開始回弱,第四季也不甚樂觀,明年恐將再陷入虧損、減產(chǎn)、財(cái)務(wù)惡化等負(fù)面循環(huán)。



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