LED半導體照明網訊 9月5日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國國際光電博覽會共同主辦的“首屆第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南京大學、北京大學、科銳公司、西安電子科技大學等研究機構以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會議。

蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千先生在會上做了以《si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析》為題的報告，通過詳細講解氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢、硅(si)基氮化鎵的產品優(yōu)勢、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)電力電子器件的關系、LED介入氮化鎵功率器件可選的商業(yè)模式和影響等等方面的內容，介紹了發(fā)展硅基氮化鎵的功率器件的原因、硅基氮化鎵半導體的行業(yè)狀況、氮化鎵功率材料與器件的市場前景和硅基氮化鎵功率半導體的技術發(fā)展方向。

他首先簡單以美國為例介紹了基于半導體技術應用的節(jié)能情景，他表示，半導體技術應用以后，美國每年的節(jié)省的電費達到萬億美元，采用新一代功率器件后，電力損耗還能再減少30%。

他指出氮化鎵相比較硅的優(yōu)點包括三個方面，第一點是導通電阻比較低，氮化鎵的導電阻比硅低1000倍左右；第二點是速度很快，氮化鎵的開關速度比硅高100倍左右，功率密度提升；第三點是耐高溫，GaN可以在500℃以上的高溫環(huán)境使用。

在氮化鎵和碳化硅電子器件之間的關系方面，張乃千董事長表示，氮化鎵比較適合900v以下的器件，它是一個平面器件；從材料方面它們不是一個材料，它的優(yōu)勢是氮化鎵的原材料可以依托龐大的照明產業(yè)，成本較低：氮化鎵可以一直生長在一個大的硅片上，既可以降低控制成本，又可以投入大規(guī)模生產；氮化鎵的規(guī)?；呛苤匾?，氮化鎵(GaN)器件制作需要的設備可借助于硅工業(yè)，易于大規(guī)模產業(yè)化。

張乃千就氮化鎵器件的市場前景對市場空間和市場大小做了簡單介紹，他說，今年所有的半導體器件加一起包括材料，大概有不到200億美元，到2020年可能將達到400億美元，它的發(fā)展相對平穩(wěn)，不像LED企業(yè)起伏比較大。

而在這個市場中，大概有三分之二的市場屬于工業(yè)電壓比較低的的900v以下，高于900v的占三分之一，氮化鎵比較適合于大概三分之二的市場，這個市場相當?shù)拇蟆?/p>