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[導(dǎo)讀]隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈,LED芯片企業(yè)要保持市場地位,贏取穩(wěn)定的利潤率,就必須不斷提升產(chǎn)品性能,主動提高光效、降低成本,做到成本下降快于產(chǎn)品價格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)模化生產(chǎn)外,主要在技術(shù)創(chuàng)

隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈,LED芯片企業(yè)要保持市場地位,贏取穩(wěn)定的利潤率,就必須不斷提升產(chǎn)品性能,主動提高光效、降低成本,做到成本下降快于產(chǎn)品價格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)?;a(chǎn)外,主要在技術(shù)創(chuàng)新上下功夫。提升芯片亮度,更應(yīng)該從采用新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝著手, 提升芯片性價比,以適應(yīng)市場需求。

順應(yīng)LED行業(yè)發(fā)展趨勢,先于客戶進行技術(shù)升級,北京北方微電子公司在充分了解國內(nèi)外先進技術(shù)及客戶需求的基礎(chǔ)上,不斷研發(fā)新一代設(shè)備產(chǎn)品,并通過與客戶進行合作驗證的方式展開了前瞻性的技術(shù)布局。

先進Sputter工藝技術(shù)制備AlN緩沖層

目前用于LED產(chǎn)業(yè)化的襯底主要以藍寶石、SiC、Si為主,為實現(xiàn)GaN層在藍寶石、硅片等異質(zhì)襯底上的外延生長,可在襯底生長一層多晶的GaN或AlN緩沖層?,F(xiàn)有的技術(shù)是利用MOCVD進行緩沖層的生長,但MOCVD生長效率低、成本高、產(chǎn)能低,如果能利用Sputter, PECVD等設(shè)備在襯底上先外延一層AlN 緩沖層,不僅可以更好的與藍寶石進行晶格匹配,更可有效的減少下一步外延生長的時間,降低原材料消耗,從而達到提高產(chǎn)能、降低成本的目的。此外,AlN的導(dǎo)熱性能優(yōu)于藍寶石,采用此技術(shù)同時可有效改善LED芯片的散熱性能,提高LED器件性能的可靠性。

采用Sputter方法制備AlN緩沖層已被證實是最優(yōu)化且最適用于量產(chǎn)的工藝技術(shù),也可能是未來企業(yè)差異化競爭的技術(shù)路線之一,該技術(shù)目前已受到多家國內(nèi)主流芯片廠商的密切關(guān)注。北方微電子公司擁有專業(yè)團隊進行專項技術(shù)研發(fā),通過合理的設(shè)備硬件設(shè)計,有效解決了AlN緩沖層沉積均勻性和重復(fù)性問題,并積極同國內(nèi)主流外延芯片廠商進行AlN緩沖層配套工藝研發(fā)及驗證,以此作為市場前瞻性的技術(shù)儲備之一。

TSV深孔刻蝕、填充工藝應(yīng)對晶圓級封裝趨勢

近年來,藍寶石晶圓尺寸呈現(xiàn)越做越大的趨勢,逐漸由2英寸主導(dǎo)發(fā)展到4英寸、6英寸,甚至是8英寸等, 晶圓級封裝技術(shù)以顯著的成本優(yōu)勢將成為未來面向大尺寸LED芯片封裝的關(guān)鍵技術(shù)。

事實上,LED晶圓級封裝技術(shù)其實是從IC封裝演變而來,而北方微電子公司將多年IC高端裝備研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗應(yīng)用于LED行業(yè)裝備,跟進LED芯片與封裝制程不斷趨于融合的技術(shù)發(fā)展趨勢,研發(fā)了針對LED 先進封裝的TSV深槽刻蝕設(shè)備及配套的深孔金屬填充工藝設(shè)備,以先進的工藝解決方案為客戶技術(shù)升級做準(zhǔn)備。

以不斷提高光效為宗旨優(yōu)化芯片制程的工藝研發(fā)

以GaN基LED技術(shù)為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)正向更高光效、更低成本,更可靠和更多元化的方向發(fā)展進步,而提高LED芯片的亮度和光電轉(zhuǎn)換效率是LED企業(yè)研究和開發(fā)的核心,也是LED替代其他傳統(tǒng)光源的驅(qū)動力所在。隨著LED芯片技術(shù)的不斷提升,各企業(yè)關(guān)注的增加出光效率的工藝制程也不斷在優(yōu)化。

針對目前各種不同技術(shù)優(yōu)化方案,北方微電子公司也一直秉承科技創(chuàng)新的理念,不斷提供各項提高LED光效的工藝解決方案。從首款大規(guī)模應(yīng)用的國產(chǎn)化藍寶石圖形化襯底(PSS)刻蝕機到可顯著提升芯片的輸出光效、提高靶材利用率的LED ITO Sputter設(shè)備,北方微電子一直以客戶為中心,以先于客戶的技術(shù)儲備,為客戶技術(shù)升級提供先進的工藝解決方案。

此外,適用于倒裝芯片封裝技術(shù)的無損傷金屬反射層濺射設(shè)備、應(yīng)用于高壓LED芯片制程的GaN深槽刻蝕設(shè)備、可用于制備更高穩(wěn)定性、亮度的LED芯片保護層、阻擋層的PECVD等設(shè)備工藝技術(shù)解決方案,均在北方微電子的前瞻性技術(shù)布局中整裝待發(fā),期待能為客戶服務(wù),使LED芯片企業(yè)能在以不斷降低成本、提升性能為競爭的市場環(huán)境中獲利更多。

憑借卓越的技術(shù)研發(fā)能力,完善的企業(yè)科研管理體制,具有前瞻性的研發(fā)創(chuàng)新布局,近日北方微電子喜獲 CSA2013年度評選“激情2013 年度最具創(chuàng)新力企業(yè)”殊榮。

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