2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽?。預(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。

至于晶圓代工和DRAM產(chǎn)業(yè)，雖然2010年將各成長(zhǎng)40%和80%，不過由于全球景氣緩慢復(fù)蘇，加上2010年基期已高，2011年晶圓代工業(yè)產(chǎn)值預(yù)估仍僅將小幅度增長(zhǎng)5.5%；DRAM產(chǎn)業(yè)則因小幅供過于求，將繳出負(fù)成長(zhǎng)20%的慘綠成績(jī)，臺(tái)廠處境愈顯艱困。拓墣建議，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者由于貼近亞太等新興國(guó)家市場(chǎng)，除可積極發(fā)展高階產(chǎn)品外，亦可仔細(xì)觀察新興市場(chǎng)需求與動(dòng)態(tài)，朝向開發(fā)兼具低成本及符合新興市場(chǎng)特性的產(chǎn)品（如3 SIM卡/4 SIM卡手機(jī)芯片）發(fā)展。

2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究所，2010/11

DRAM慘淡經(jīng)營(yíng) 臺(tái)廠前景有隱憂

2010年DRAM整體營(yíng)收成長(zhǎng)80%，是有史以來最好的一年，韓廠因此獲利大增、排名上升，Samsung僅1~9月總營(yíng)收即達(dá)315.4億美元（28.39兆韓元），直逼Intel營(yíng)收規(guī)模；但臺(tái)廠除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及華亞科營(yíng)收皆不如預(yù)期。

拓墣預(yù)估，2011年全球DRAM整體營(yíng)收將較2010年下滑20%，僅322億美元，ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水準(zhǔn)，只有Samsung等具有成本優(yōu)勢(shì)之國(guó)際大廠可能獲利，對(duì)于負(fù)債比仍高的臺(tái)廠來說，2011年又將是艱困的一年。例如無財(cái)團(tuán)支撐的茂德，除寄望Elpida或政府伸出援手外，恐別無他法。

2011年全球DRAM產(chǎn)值面臨負(fù)成長(zhǎng)Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究所，2010/11

Mobile DRAM臺(tái)灣布局要趁早

另一方面，近年為滿足智能手機(jī)等移動(dòng)運(yùn)算裝置使用需求，使得Mobile DRAM這類具有獨(dú)特省電特性的內(nèi)存應(yīng)運(yùn)而生。另外，追求輕薄短小的手機(jī)也為內(nèi)存帶來新挑戰(zhàn)，不僅耗電量要低，更要在有限空間內(nèi)達(dá)到最大容量，只有采用最先進(jìn)制程，才能符合所有的要求，故Mobile DRAM可望成為引領(lǐng)高端制程的新力量。

拓墣指出，Mobile DRAM不僅具備省電特性，最終產(chǎn)品型態(tài)也不同于一般內(nèi)存模塊。Mobile DRAM通常采用裸晶配合NAND Flash進(jìn)行MCP封裝，或采用PoP

（Package-on-Package）封裝，再與Application Processor堆棧組裝。無論裸晶圓測(cè)試或MCP封裝都必須有完整的配套，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)即早切入，發(fā)展出完整供應(yīng)鏈，才能在Mobile DRAM市場(chǎng)占一席之地。

NAND Flash移動(dòng)云端帶動(dòng)成長(zhǎng)

而行動(dòng)云端運(yùn)算新趨勢(shì)興起，智能手機(jī)等行動(dòng)裝置可實(shí)時(shí)將時(shí)、空、影、音等各項(xiàng)信息提供給資料中心（Data Center）中的云端服務(wù)器進(jìn)行運(yùn)算，以取得最佳結(jié)果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色，因此兩者占整體內(nèi)存的比重也將逐漸增加。

雖然NAND Flash需求量大，但由于各大NAND Flash廠紛紛透過擴(kuò)產(chǎn)、制程微縮及采用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率，預(yù)估2011年將有微幅供過于求的狀況，但價(jià)格可望維持一定水準(zhǔn)。

在SSD部分，拓墣預(yù)估2011年開始采用2xnm MLC顆粒單位價(jià)格將降至與目前Server級(jí)硬盤（1美元/GB）相近水準(zhǔn)，再配合先進(jìn)ECC、Wear Leveling等技術(shù)延長(zhǎng)使用壽命至服務(wù)器等級(jí)，可望大幅度提高SSD在服務(wù)器市場(chǎng)使用率。但由于SSD與PC/NB用硬盤仍存在相當(dāng)大的價(jià)格差異（SSD單位價(jià)格約1美元/GB，PC/NB用硬盤僅0.1美元/GB），所以SSD在NB中的運(yùn)用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機(jī)種。