如果說當(dāng)前TD終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力有哪些?待機(jī)時(shí)間短和售價(jià)偏高是一大障礙。與此直接相關(guān)的，便是上游TD芯片的高功耗和高成本。

1月19日，主流TD芯片供應(yīng)商之一，展訊通信有限公司(納斯達(dá)克：SPRD)在北京高調(diào)宣布，全球首款采用40納米工藝的TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片已研發(fā)成功，并正式投入商用。

據(jù)了解，目前聯(lián)芯科技、T3G、聯(lián)發(fā)科等主流TD芯片供應(yīng)商，基本采用65納米、甚至90納米工藝制程，其成本和功耗居高不下，一直是TD終端發(fā)展的一大阻力。

“采用40納米工藝的TD芯片，其功耗能降低30%，成本降低50%。”在展訊董事長李力游看來，一旦40納米芯片規(guī)模化的推向商用市場，TD終端產(chǎn)品的制造門檻和成本有望大幅降低。

目前尚不知該款TD芯片的最終市場定價(jià)。但來自展訊內(nèi)部的多個(gè)渠道消息顯示，基于40納米工藝，手機(jī)成本可以做到與2.75G終端成本相當(dāng)——這意味著TD手機(jī)終端價(jià)格有望降到100美金以下。目前TD手機(jī)市場價(jià)至少在千元以上。

更為值得關(guān)注的是，TD上游芯片市場的格局，可能由此生變。

在目前的TD手機(jī)芯片市場，聯(lián)芯科技(與聯(lián)發(fā)科合作TD芯片)和T3G兩家占據(jù)超過70%以上的市場份額，展訊份額約25%。市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli中國研究總監(jiān)王陽認(rèn)為，隨著40納米TD芯片的推出，展訊的市場份額有望得到提升。

與此相關(guān)的一個(gè)產(chǎn)業(yè)背景是，聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科基于TD芯片的合作，早已出現(xiàn)裂痕。聯(lián)芯科技獨(dú)立研發(fā)的TD芯片已開始商用，而聯(lián)發(fā)科與傲世通合作的TD芯片也計(jì)劃于本季度正式上市。

可以預(yù)見，今年上半年TD芯片市場難免一場惡戰(zhàn)。

一位芯片設(shè)計(jì)公司高層分析，聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科的分道揚(yáng)鑣，讓各自的產(chǎn)品線都處在“左右互搏”的尷尬境地，而T3G的TD芯片成本偏高一直為其市場軟肋：“選在這個(gè)時(shí)點(diǎn)推出40納米TD芯片，展訊抓住了一個(gè)相對(duì)有利的時(shí)機(jī)。”

這正是展訊CEO李力游的“算盤”。據(jù)李力游透露，按照原定的研發(fā)計(jì)劃，展訊原本打算延續(xù)65納米的工藝制程，“但考慮到功耗和成本依舊偏高，即便推出65納米TD芯片，展訊在市場上也不占優(yōu)勢。”

基于此，展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片。“盡管風(fēng)險(xiǎn)巨大，但時(shí)不我待。”一位展訊內(nèi)部人士如此形容TD芯片市場競爭的急迫狀態(tài)。

事實(shí)上，各大TD芯片供應(yīng)商也在暗自角力。據(jù)了解，聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科，目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計(jì)劃。“按照正常的研發(fā)周期測算，一般要在一年半到兩年時(shí)間。”李力游認(rèn)為，在TD芯片性價(jià)比上，“展訊將有至少領(lǐng)先一年的時(shí)間差。”

據(jù)悉，目前包括高通、博通在內(nèi)，全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品，一般集中在65納米工藝，少數(shù)產(chǎn)品達(dá)到45納米工藝。

最新消息顯示，包括青島海信、華為終端公司在內(nèi)的多家手機(jī)廠商，已經(jīng)開始采用展訊此款芯片，并通過了工信部的入網(wǎng)檢測和中國移動(dòng)的入庫檢測。“其最終的性能是否達(dá)到大規(guī)模商用化的要求，還有待市場檢驗(yàn)。”有業(yè)內(nèi)人士分析。