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[導讀]北京時間9月16日消息,據(jù)國外媒體報道,在此前的蘋果發(fā)布會上,通過官方所展示的iPhone 5 SoC圖片我們了解了有關這款手機內(nèi)存接口、帶寬速率等數(shù)據(jù)。同此前的蘋果處理器一樣,全新的A6芯片同樣通過PoP堆疊技術將嵌入

北京時間9月16日消息,據(jù)國外媒體報道,在此前的蘋果發(fā)布會上,通過官方所展示的iPhone 5 SoC圖片我們了解了有關這款手機內(nèi)存接口、帶寬速率等數(shù)據(jù)。同此前的蘋果處理器一樣,全新的A6芯片同樣通過PoP堆疊技術將嵌入式處理器和DRAM內(nèi)存整合在一起。這樣的做法幫助蘋果大大節(jié)約了手機內(nèi)部空間,這對于智能手機這樣的小尺寸設備來說十分重要。事實上,在當代智能手機中,PoP堆疊技術已經(jīng)十分常見。

全新的A6芯片

在當?shù)厥菚r間周三舉行的發(fā)布會上,蘋果并沒有明確給出有關全新A6芯片的詳細數(shù)據(jù)信息,我們只能通過圖片發(fā)現(xiàn)芯片上的出現(xiàn)的三星元件型號:K3PE7E700F-XGC2。通過對三星產(chǎn)品說明書的查詢后我們發(fā)現(xiàn),K3P這個型號代表的是這是一款基于32位信道的雙通道LPDDR2封裝芯片。而E7E7這行代碼則表明該芯片包括兩個DRAM核心,每個核心容量為512MB,總計1G。而最后的00F表該該芯片的頻率為1066MHz。

因此,在將以后所有這些信息匯總后,我們便得到了如下這樣一張數(shù)據(jù)圖。

iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬比iPhone 4S大約高出33%

通過對蘋果以往iOS設備的統(tǒng)計數(shù)據(jù)研究,我們發(fā)現(xiàn)iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬比iPhone 4S大約高出33%,這就使得iPhone 5可以更好的配合速度更快的圖形處理單元,并提供更高的顯示屏分辨率。據(jù)悉,目前已有許多芯片廠商開始出貨LPDDR2-1066型號的DRAM芯片,因此蘋果采用這樣的芯片并不令人驚訝。不過,相對于新iPad,iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬仍然較低,這是因為iPhone 5顯示屏和GPU不需要像新iPad一樣強大的圖形處理性能。

據(jù)了解,除了時鐘頻率之外,還有其他一些因素會影響設備的內(nèi)存帶寬。但目前我們尚不清楚,iPhone 5中A6芯片配套的內(nèi)存控制器是否與A5芯片一樣。ARM架構的芯片一直由于內(nèi)存帶寬有效性的問題飽受外界爭議,希望蘋果的A6芯片能夠有效解決這一問題。

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