載波聚合(CA)功能為射頻元件所帶來的多頻多模需求，讓功率放大器、天線開關、低雜訊放大器等射頻元件必須涵蓋較以往更多的頻段處理通道，單位成本因而增加，因此許多射頻元件商正積極尋求更高性價比的方案；其中，導入CMOS制程已成為一股明朗可見的趨勢。

高通(Qualcomm)資深行銷總監(jiān)Carson表示，射頻前端系統(tǒng)的主控制端主要還是在于數據機平臺，而目前LTE數據機早已普遍采用CMOS制程，因此若射頻前端系統(tǒng)亦能導入CMOS制程，將大幅提高LTE平臺控制介面的整合度。

事實上，射頻元件商正設法以CMOS制程為基礎，開發(fā)出效能媲美傳統(tǒng)砷化鎵(GaAs)元件的解決方案，以符合高階LTE行動裝置對載波聚合的規(guī)格需求；而在高通RF360逐漸打響名號之下，CMOS射頻元件的聲勢正在逐漸看漲，市場關注度也顯著提升。

RFaxis行銷與應用工程副總裁錢永喜補充，GaAs是一種化合物半導體，產能及價格波動大，相對而言，以矽(Silicon)制程為基礎的CMOS在制程技術及原物料供應上都較為穩(wěn)定，且價格更便宜，因而逐漸受到市場青睞；而且，透過平均功率追蹤(APT)、封包追蹤(ET)、數位預失真(Digital Pre Distortion, DPD)、天線調諧(Antenna Tuner)等技術的協(xié)助，CMOS解決方案已漸漸能滿足載波聚合對線性及功耗的需求。

目前除了高通是CMOS射頻元件的主要推手之外，包括RFaxis、英飛凌(Infineon)等廠商都早已投入CMOS射頻前端元件開發(fā)，如英飛凌的開關器已率先導入CMOS制程。

英飛凌電源管理及多元電子事業(yè)處經理黃正宇表示，英飛凌目前以CMOS制程生產的天線開關，在線性度、插入損耗(Insertion Loss)等性能表現上，都已通過一線手機大廠的肯定，且認證其效能表現已可媲美GaAS天線開關，并能符合載波聚合功能的需要，其性價比優(yōu)勢盡顯。

至于英飛凌的低雜訊放大器目前仍系以矽鍺(SiGe)制程生產，不過，該公司正在審慎評估以CMOS制程生產低雜訊放大器的可能性，穩(wěn)步朝汰換所有RF元件為CMOS制程的方向邁進，提高產品性價比優(yōu)勢。

據了解，高通RF360平臺目前采用的是SOI-CMOS制程；而RFaxis及英飛凌等廠商所采用的則是成本更具優(yōu)勢且制程整合度更成熟的塊狀矽CMOS(Bulk CMOS)技術。

另一方面，面對高通RF360平臺中來勢洶洶的CMOS功率放大器勢力，Skyworks產品行銷經理Mc Govern則認為，CMOS功率放大器與現下主流的砷化鎵功率放大器各有優(yōu)缺點，市場上同時對于兩種制程技術都有需求，因此短期內仍難以分出絕對勝負，為了不流失任一市場，Skyworks將維持CMOS、GaAs及絕緣層覆矽(SOI)射頻元件多頭并行的策略，以滿足各種客戶群的需要。

至于CMOS功率放大器未來的市場成長預測，拓墣產業(yè)研究所則預估，平價手機風潮將助長CMOSPA的市占率逐步提高，預估至2016年CMOS功率放大器的市占率可望逐步提升至15～20%。

面對CMOS功率放大器勢力快速崛起，GaAs功率放大器廠商除了加速多頻多模功率放大器研發(fā)之外，也可能同步發(fā)展CMOS技術。另一方面，運用垂直分工啟動輕晶圓代工(Fab-lite)策略，讓專業(yè)GaAs晶圓代工廠進行產業(yè)分工，降低投資風險，并運用規(guī)模經濟來降低GaAs功率放大器的生產價格，亦將成為許多GaAs功率放大器廠商的主要策略。

錢永喜強調，CMOS射頻元件的趨勢已然形成，在射頻元件商積極以CMOS制程為基礎來提高射頻元件性能，且力求能滿足現今載波聚合需求的發(fā)展方向下，這股風潮已成不可逆轉之勢。