公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示，2015年光通信芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)4%，未來(lái)5年的復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)8%，到2018年，光芯片及其封裝器件市場(chǎng)將達(dá)到105億美元。光傳輸市場(chǎng) 仍然是其最大的市場(chǎng)，數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)增長(zhǎng)最快，將以22%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，2018年將達(dá)45億美元，此外，光接入市場(chǎng)需求趨于平穩(wěn)，年需求維持在10 億美元。

光器件及芯片是光通信企業(yè)最核心的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其以光通信芯片為最。而我國(guó)光器件及芯片企業(yè)整體實(shí)力較弱，產(chǎn)品主要集中在中低 端領(lǐng)域，在10G以上速率的有源器件和100G光模塊等高端領(lǐng)域也才逐漸有所突破。例如索爾思光電的100Gb/s QSFP28收發(fā)模塊具性能和成本優(yōu)勢(shì)，易飛揚(yáng)100GQSFP28光模塊研發(fā)成功，100GCFP-LR4光模塊正式商業(yè)化。

但在芯片層面仍然主要依賴(lài)國(guó)外芯片廠商。隨著企業(yè)并購(gòu)的不斷發(fā)生，在并購(gòu)中掌握話(huà)語(yǔ)權(quán)的國(guó)際廠商一旦收緊芯片供應(yīng)，恐將給沒(méi)有核心芯片技術(shù)的國(guó)內(nèi)器件、模塊廠商帶來(lái)元器件斷貨的風(fēng)險(xiǎn)，無(wú)疑，國(guó)內(nèi)自主芯片研發(fā)的推進(jìn)將有助于降低這一風(fēng)險(xiǎn)。

在 國(guó)內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)中也涌現(xiàn)了一批具有自主研發(fā)能力的企業(yè)。例如華為海思、中興、海信、烽火通信、廈門(mén)優(yōu)訊等。光迅科技是國(guó)內(nèi)唯一量產(chǎn)10G以下DFB、 APD芯片的廠，也是國(guó)內(nèi)唯一具備自主研發(fā)全系列PLC芯片并規(guī)模生產(chǎn)的廠商。光迅科技有能力出貨8000萬(wàn)芯片/年。其芯片的自給率達(dá)到95%左右，但 芯片大多是低端自產(chǎn)，高端芯片正力求突破。高端芯片上，在云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用需求持續(xù)增長(zhǎng)的當(dāng)下，100G漸成標(biāo)配。國(guó)內(nèi)，華為海思掌握了100G光 模塊芯片技術(shù)。最近光迅推出了120G CXP模塊和100G QSFP28 SR4模塊。不久，其自主研發(fā)的10G VCSEL陣列芯片也將應(yīng)用于這類(lèi)產(chǎn)品中，這是在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)100G速率光模塊的芯片國(guó)產(chǎn)化。

值得一提的是，目前，奇芯光電研制的光子集成芯片已進(jìn)入測(cè)試階段，投產(chǎn)后將廣泛應(yīng)用于光電子信息行業(yè)。由我國(guó)自主研發(fā)的光子集成芯片，被視為對(duì)傳統(tǒng)集成電路的“彎道超車(chē)”，推動(dòng)我國(guó)在光電子集成電路領(lǐng)域的發(fā)展。

芯片間或者芯片內(nèi)部的通訊傳輸可通過(guò)硅光子代替電子，達(dá)到更高的傳輸速率。目前國(guó)外廠商掌握著硅光子先進(jìn)技術(shù)，國(guó)內(nèi)廠商保持跟進(jìn)。

去年，IBM研究院宣布，首次完成設(shè)計(jì)與測(cè)試完全整合的波長(zhǎng)多工硅光子芯片，而且很快就可用于100Gb/s的光收發(fā)器的生產(chǎn)，未來(lái)將可讓資料中心有更高的資料傳輸率及頻寬，以因應(yīng)云端運(yùn)算及大資料應(yīng)用的需求。

硅 光子技術(shù)使用小型的光元件傳送光脈沖，可在服務(wù)器芯片、大型資料中心及超級(jí)電腦的芯片之間以極高的速率傳送大量資料，突破資料流量阻塞及傳統(tǒng)昂貴的網(wǎng)路互 連技術(shù)的限制，大幅降低系統(tǒng)內(nèi)及運(yùn)算元件間的資料傳輸瓶頸，提升回應(yīng)時(shí)間。IBM突破性的發(fā)展則運(yùn)用100納米以下的半導(dǎo)體技術(shù)，在單一晶片上整合光元件 與電子回路。

華為已于較早前收購(gòu)比利時(shí)硅光子公司Caliopa，還收購(gòu)了英國(guó)光子集成公司CIP。而光迅在硅光子關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)用化探索上積極布局，隨著其綜合實(shí)力逐漸增強(qiáng)，以及國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持，必將加快推進(jìn)硅光子項(xiàng)目。

從無(wú)線(xiàn)通訊方面來(lái)看，6G/10G光模塊是4G基站和4G傳輸設(shè)備中的核心部件，其中基站內(nèi)傳輸主要為6G及以下光模塊，基站間傳輸主要采用10G光模塊。無(wú)線(xiàn)通訊的發(fā)展勢(shì)必為光模塊行業(yè)帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，光迅科技在4G LTE部分占到60%份額。隨著5G發(fā)展的加速，光迅認(rèn)為25G的光電芯片在未來(lái)將會(huì)成為主流配置。這較10G時(shí)代又更近一步，10G是未來(lái)的基本配置。預(yù)計(jì)，5G的數(shù)據(jù)傳輸速度將是4G的40倍，5G對(duì)光模塊的需求量將會(huì)遠(yuǎn)超過(guò)4G的需求量。

業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè)2016年中國(guó)運(yùn)營(yíng)商在4G、固網(wǎng)寬帶的競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化的同時(shí)，在無(wú)線(xiàn)網(wǎng)、接入網(wǎng)投入將超預(yù)期，光通信投資同比將超過(guò)30%。近期中國(guó)聯(lián)通發(fā)布LTE FDD三期采集招標(biāo)公告，采購(gòu)規(guī)模為46.9萬(wàn)個(gè)基站，將運(yùn)營(yíng)商4G 競(jìng)爭(zhēng)推向更高潮。

據(jù)預(yù)測(cè)，很快我們將看到5G在2018年韓國(guó)冬奧會(huì)和2020年日本夏奧會(huì)這兩項(xiàng)賽事上進(jìn)行演示。隨著5G通信的到來(lái)，留給光通信廠商的5G市場(chǎng)空間必將更加廣闊。