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德州儀器 (TI) 宣布其以SmartReflex™ 電源與性能管理技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備面臨的 65nm 漏電功耗難題迎刃而解,從而為高級(jí)移動(dòng)設(shè)備中的新型無(wú)線娛樂(lè)、通信與連接應(yīng)用創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。隨著業(yè)界不斷向更小的工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展,漏電功耗或電池使用壽命縮短的可能性也大幅度提高,對(duì)于開發(fā)高速度、高集成度的 65nm 低功耗移動(dòng)設(shè)備而言,這項(xiàng)挑戰(zhàn)曾一度被視為難以攻破的壁壘。TI SmartReflex 技術(shù)是智能與自適應(yīng)硅芯片、電路設(shè)計(jì)與軟件的完美組合,專門用于解決較小工藝節(jié)點(diǎn)上的電源與性能管理問(wèn)題,從而使 OEM 廠商能夠?yàn)楦∏删碌亩嗝襟w移動(dòng)設(shè)備提供更長(zhǎng)的電池使用壽命以及更少的散熱量。

過(guò)去,功耗方面的挑戰(zhàn)一直通過(guò)簡(jiǎn)單而有限的幾種方法加以解決,如空閑/睡眠模式、時(shí)鐘門控 (Clock-Gating) 以及動(dòng)態(tài)電壓頻率縮放 (DVFS) 等,這些方法主要側(cè)重于動(dòng)態(tài)功耗,而非漏電功耗。但是,集通信、計(jì)算以及娛樂(lè)功能于一體的移動(dòng)設(shè)備將要求在更低成本的更小工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)更高程度的硅芯片集成。更高的性能處理需求與先進(jìn)工藝漏電功耗的大幅增加向電源管理提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),因?yàn)橐笸瞥龈娴南到y(tǒng)級(jí)解決方案。

TI SmartReflex 技術(shù)解決了 65 nm 移動(dòng)設(shè)備關(guān)鍵的漏電功耗問(wèn)題,這大大超越了傳統(tǒng)設(shè)備電源管理技術(shù)。具體而言,TI 業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 SmartReflex 系列技術(shù)集成了從集成電路設(shè)計(jì)到系統(tǒng)軟件的系統(tǒng)級(jí)方法,該方法在保證高性能的同時(shí),還能出色地解決采用深亞微米技術(shù)的移動(dòng)設(shè)備的功耗問(wèn)題。SmartReflex 技術(shù)充分利用了 TI 側(cè)重于電源管理的硅芯片 IP、SoC 設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)軟件,并可應(yīng)用至整個(gè) SoC,而且該技術(shù)還融入了各種智能與自適應(yīng)硬件與軟件技術(shù),能夠根據(jù)設(shè)備的活動(dòng)、工作模式以及不同的工藝與溫度動(dòng)態(tài)地控制電壓、頻率及電源。這在不降低終端性能的情況下可顯著節(jié)約運(yùn)行復(fù)雜多媒體應(yīng)用所需的電源。

TI 率先推出了應(yīng)用 90 nm 工藝節(jié)點(diǎn)的 SmartReflex 的技術(shù)元素,而目前采用的 65 nm 工藝可實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的技術(shù)解決方案。SmartReflex 的技術(shù)組件已被集成到 1 億多個(gè)移動(dòng)設(shè)備上。TI 正將該技術(shù)集成到其 OMAP™ 2 應(yīng)用處理器系列中,并計(jì)劃在今后的無(wú)線產(chǎn)品中不斷推出更先進(jìn)的 SmartReflex 技術(shù)。
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