中國首個256位分子存儲器電路研制成功
近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室成功研制出國內首個256位分子存儲器電路。
分子電路是指在分子層次上構筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時代接替硅基電路最受關注的方向之一，它能夠使電子器件的關鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發(fā)展。
電阻轉變型雙穩(wěn)態(tài)材料的存儲特性在信息存儲以及存儲器方面有著非常廣闊的應用前景，是一種天生的存儲材料。具有此類雙穩(wěn)態(tài)特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優(yōu)點，而受到廣泛的關注。分子存儲器是利用有機分子的電學雙穩(wěn)態(tài)特性實現存儲功能的，分子存儲器要實現高密度存儲，就需要有效的降低特征尺寸，即存儲點的周期。
研究人員在深入研究不同轉變機理的各種電阻轉變型雙穩(wěn)態(tài)材料的基礎上，基于一次電子束光刻和二次X射線曝光的具有完全知識產權的混合光刻技術，成功研制了國內首個256位分子存儲器電路，該存儲器電路的特征尺寸達到250nm，電學性能優(yōu)異，實驗結果表明分子存儲器的分子層沒有受到損傷。
國內首個256位分子存儲器電路的研制成功，為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現奠定了重要基礎, 有力推動了我國分子電子學的發(fā)展。
本工作得到了國家973項目的支持，中國科學院化學所提供了分子材料的制備生長，二次X射線光刻工藝在國家同步輻射實驗室完成。
下載文檔本站聲明： 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點，本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯系該專欄作者，如若文章內容侵犯您的權益，請及時聯系本站刪除。
換一批
延伸閱讀
Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數據等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關鍵字： Flash 存儲器 嵌入式系統(tǒng)
熱門文章
編輯精選
更多
論壇活動
技術子站
更多
資料下載
更多
技術學院
- TrendForce集邦咨詢: AI運算架構升級推升存儲器市場產值有望于2027年再創(chuàng)高峰，預估年增率超過50%
- TrendForce集邦咨詢: 預估2026年全球AI 服務器出貨年增逾28%，ASIC類別占比擴大
- TrendForce集邦咨詢: 美光收購力積電銅鑼晶圓廠，2027年全球DRAM供給或將上修
- TrendForce集邦咨詢: 新機調價抑制銷售需求，2026年第二季度起智能手機生產承壓明顯
- 電動汽車電池管理系統(tǒng)原理
- 手把手教你如何解決MySQL order by limit語句的分頁數據重復問題
- 盤點PCB電路板上需要有測試點的原因
- 盤點晶體諧振器振蕩頻率溫度特性異常的幾個原因
