三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過了自身...

（全球TMT2022年10月18日訊）三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和...

在三星 Tech Day 2022 活動(dòng)上，三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Jung-bae Lee 表示，三星 40 多年來共生產(chǎn)了 1 萬億 GB 內(nèi)存，僅在過去三年中就產(chǎn)生了大約一半。

10月5日訊當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(10月4日)，美國(guó)最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計(jì)劃在紐約州中部打造一個(gè)巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊。預(yù)期客戶端于第四季度到明年第一季度將調(diào)整庫存。有部分硅晶圓廠商已同意一些下游長(zhǎng)約客戶的要求，可延后拉貨時(shí)程，但...

擱在四五年前，板載內(nèi)存極大可能會(huì)被用戶視為一臺(tái)輕薄本的缺點(diǎn)，其實(shí)這也很好理解，板載內(nèi)存無法擴(kuò)容，而且當(dāng)時(shí)內(nèi)存容量并不大，板載內(nèi)存的頻率也普遍偏低，性能稍差，所以很多朋友選購輕薄本的時(shí)候，都會(huì)避開板載內(nèi)存。

愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...

數(shù)個(gè)月前，英特爾宣布將斥資 200 億美元在俄亥俄州建造兩座先進(jìn)制程晶圓廠，并表示其投資“在未來十年內(nèi)可能增長(zhǎng)到高達(dá) 1000 億美元”，但這部分取決于關(guān)于聯(lián)邦的芯片補(bǔ)貼。由于此前美國(guó)芯片法案遲遲未能獲得通過，英特爾在6...

據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，為制造制程更先進(jìn)、耗電更少的芯片，往往制造需要大量的電力。光刻機(jī)巨頭ASML最先進(jìn)極紫外(EUV)光刻機(jī)，每臺(tái)預(yù)估耗電1MW(megawatt，百萬瓦)，約為前幾代設(shè)備的10 倍，加上制造先進(jìn)制程芯片還沒有...

繼DDR5 DRAM成為英特爾“Alder Lake”第12代處理器的標(biāo)準(zhǔn)配置之后，AMD近日也宣布其7000系列處理器將支持DDR5內(nèi)存，并在9月27日正式上市。AMD表示，該平臺(tái)將不再支持DDR4，只支持DDR5產(chǎn)品...