最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上，三星與蘋果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí)，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。

    然而，今年4月份，蘋果以一份長達(dá)337頁的訴狀將三星告上了法庭，指控對(duì)方剽竊其iPhone/iPad產(chǎn)品的外形設(shè)計(jì)創(chuàng)意。事件曝光后，分析師們紛紛猜測(cè)這起事件很可能會(huì)對(duì)雙方的關(guān)系造成嚴(yán)重的影響。

    在一篇有關(guān)此事件的分析文章中，作者 Kirk Ladendorf援引分析師Ashok Kumar的說法，稱這起狀告案其實(shí)是在蘋果教父喬布斯的授意下發(fā)動(dòng)的。“兩家公司都想把對(duì)方往死里整。相互之間的關(guān)系也已經(jīng)惡化到了極點(diǎn)，除非三星肯低頭服軟，否則兩家公司的關(guān)系將無法修復(fù)。”

    有人猜測(cè)Intel私底下非常希望能夠拿到蘋果的代工訂單，intel正計(jì)劃將三門晶體管技術(shù)引入到其SoC芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中去。intel最近也在頻繁進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充，他們對(duì)位于俄勒岡，亞利桑那，以色列和愛爾蘭等的幾間芯片廠進(jìn)行了產(chǎn)能擴(kuò)增操作。考慮到他們手中握有搶先推出垂直型晶體管架構(gòu)產(chǎn)品的法寶，大量的芯片產(chǎn)能，而且還在為蘋果的Macintosh機(jī)型提供x86處理器，看起來蘋果確有可能放棄三星，轉(zhuǎn)向intel（由其生產(chǎn)A7 SoC）和臺(tái)積電（由其生產(chǎn)A6 SoC），由這兩家公司同時(shí)代工自己的SoC芯片產(chǎn)品。

    不過三星可不是那么容易就能甩得掉的，他們一定會(huì)想出一些高招來緩解這種危機(jī)。要知道蘋果一向具有不斷壓低子供應(yīng)商元件價(jià)格的傳統(tǒng)，而相比intel而言，三星在價(jià)格上讓步的可能性就要大得多了。另外一方面，雖然臺(tái)積電沒有價(jià)格方面的問題，但是考慮到最近日本地震事件的影響，再加上臺(tái)積電所在的臺(tái)灣又是地震多發(fā)區(qū)，因此蘋果也不太可能將代工權(quán)全部獨(dú)家下放給臺(tái)積電。

    不僅如此，三星手上還有另外一張王牌，那就是他們的NAND閃存芯片產(chǎn)品，三星是全球最大的NAND閃存芯片廠商。目前蘋果的熱門移動(dòng)設(shè)備中使用的SoC芯片中，每一塊里面都需要用到8塊NAND閃存芯片。雖然intel和鎂光的合資公司也具備一定的NAND閃存芯片供應(yīng)能力，而且東芝和Hynix也足以作為三星的候補(bǔ)，但是蘋果要徹底甩掉三星恐怕沒有那么容易。另外一方面，蘋果在顯示設(shè)備產(chǎn)品上對(duì)三星也存在一定程度的依賴。

    與蘋果的關(guān)系急轉(zhuǎn)直下之后，三星與另外一家大主顧--德州儀器公司之間的關(guān)系便成了人們關(guān)心的另外一個(gè)焦點(diǎn)所在了。EE Times的一位記者就此向德州儀器提出了疑問，但是他得到了令人驚訝的回答。德州儀器表示三星代工的產(chǎn)品良率OK，但是德儀制造部門的經(jīng)理卻對(duì)三星表示了不滿之意，他認(rèn)為三星芯片代工部門對(duì)蘋果的態(tài)度顯得過于殷勤，而相比之下，卻總是很遲才想到搭理德儀的問詢。從這種假恭維式的回復(fù)中，我們可以看出三星與德儀之間的關(guān)系也出現(xiàn)了一些問題--雖然這還不足以令喬布斯感到暗爽。

    另外，有傳言稱臺(tái)積電正加快向finFET技術(shù)轉(zhuǎn)換的步伐。一年多以前，臺(tái)積電曾表示他們會(huì)在14nm節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向finFET技術(shù).但是今年5月6日，intel在新聞發(fā)布會(huì)上公布會(huì)在22nm節(jié)點(diǎn)啟用三門晶體管技術(shù)，有關(guān)產(chǎn)品的量產(chǎn)將于今年晚些時(shí)候啟動(dòng)，同時(shí)intel還承諾會(huì)盡快將三門晶體管技術(shù)引入其SoC產(chǎn)品中去。此間有許多消息來源均表示，臺(tái)積電會(huì)加快轉(zhuǎn)向垂直型晶體管架構(gòu)的步調(diào)。

    實(shí)際上，臺(tái)積電秘密研究finFET技術(shù)的時(shí)間可能要比其它任何一家公司都長?？紤]到臺(tái)積電手中握有大量大型芯片設(shè)計(jì)公司的代工訂單，我想其積累的財(cái)力足以讓他們?cè)?4nm節(jié)點(diǎn)啟用finFET技術(shù)。在這種情況下，很難預(yù)料未來的發(fā)展態(tài)勢(shì)，也許臺(tái)積電很快就會(huì)上馬一款finFET制程，并以此為武器與intel爭搶代工大單。

    另外，許多人還認(rèn)為在啟用finFET之前，臺(tái)積電會(huì)更快推出一款采用基于TSV技術(shù)的3D芯片堆疊產(chǎn)品。Gartner公司的分析師Dean Freeman就表示：“我把寶押在臺(tái)積電20nm節(jié)點(diǎn)會(huì)先推出采用TSV技術(shù)的3D芯片堆疊產(chǎn)品上，雖然其可能性并非絕對(duì)，但是我已經(jīng)聽到很過有關(guān)的傳言了。”

    轉(zhuǎn)接板+TSV,垂直型TSV還是finFET?臺(tái)積電究竟會(huì)啟用三者中的哪幾種，這個(gè)問題的答案目前還不夠明了。據(jù)此前臺(tái)灣當(dāng)局的說法，臺(tái)積電會(huì)采用基于TSV的3D芯片堆疊技術(shù)，而且產(chǎn)品量產(chǎn)的時(shí)間會(huì)先于intel量產(chǎn)22nm三門晶體管芯片的時(shí)間。值得注意的是，其原話所采用的說法頗有混淆三門晶體管與3D芯片堆疊技術(shù)之區(qū)別，令聽者“直把涼州作汴州”的混水摸魚之嫌。

    如今蘋果與三星之間的關(guān)系遇到了前所未有的挑戰(zhàn)，而intel則會(huì)很快轉(zhuǎn)向三門晶體管技術(shù)，加上臺(tái)積電的攪局，四大半導(dǎo)體廠商演出一臺(tái)n角戀的好戲，情況究竟會(huì)發(fā)生怎樣的變化？我們今后將繼續(xù)為您追蹤報(bào)道。