IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，StrongIRFET系列經(jīng)擴充后，能夠滿足市場對動態(tài)ORing和電子保險絲高效率開關的需求。全新IRL6283M在高效能封裝內(nèi)配備導通電阻，可實現(xiàn)理想的功率密度。

IRL6283M在超薄的30毫米平方(mm2)DirectFET中型罐封裝內(nèi)，配備低至500微歐姆(μΩ)(典型值)的導通電阻，以大幅降低傳導損耗，適合動態(tài)ORing和電子保險絲(eFuse)應用；新元件可從3.3伏特、5伏特或12伏特的電源軌操作，當電流達20安培(A)時，相較尺寸同為30毫米平方的同類型最理想PQFN元件降低15%損耗，使設計師能在高電流應用內(nèi)減少元件數(shù)量。

與DirectFET系列其他元件一樣，IRL6283M提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能，以及改善可靠性的無鍵合線設計；此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質限制指令(RoHS)要求。

StrongIRFET系列提供采用行業(yè)標準占位面積的PQFN封裝元件，并備有不含鉛且符合電子產(chǎn)品有害物質限制指令的環(huán)保物料清單。

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